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W9864G6KH-6 DRAM 64 MB, SDR SDRAM, x16, 166 MHz, 46 nm

W9864G6KH-6 DRAM 64 MB, SDR SDRAM, x16, 166 MHz, 46 nm Ausgewähltes Bild
  • W9864G6KH-6 DRAM 64 MB, SDR SDRAM, x16, 166 MHz, 46 nm

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Winbond
Produktkategorie:DRAM
Datenblatt: W9864G6KH-6
Beschreibung:IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: Winbond
Produktkategorie: DRAM
RoHS: Details
Typ: SDRAM
Montageart: SMD/SMT
Verpackung/Koffer: TSOP-54
Datenbusbreite: 16 Bit
Organisation: 4 M x 16
Speichergröße: 64 Mbit
Maximale Taktfrequenz: 166 MHz
Zugriffszeit: 6 ns
Versorgungsspannung - Max: 3,6 V
Versorgungsspannung - Min: 3 V
Versorgungsstrom - Max: 50 mA
Minimale Betriebstemperatur: 0 C
Maximale Betriebstemperatur: + 70 °C
Serie: W9864G6KH
Marke: Winbond
Feuchtigkeitsempfindlich: Ja
Produkttyp: DRAM
Fabrikpackungsmenge: 540
Unterkategorie: Speicher und Datenspeicherung
Stückgewicht: 9,175 g

♠ 1M ✖ 4 BÄNKE ✖ 16 BIT SDRAM

W9864G6KH ist ein schneller synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher (SDRAM), organisiert als 1 Mio. Wörter × 4 Bänke × 16 Bit. W9864G6KH bietet eine Datenbandbreite von bis zu 200 Mio. Wörtern pro Sekunde. Für verschiedene Anwendungen ist W9864G6KH in die Geschwindigkeitsklassen -5, -6, -6I und -7 unterteilt. Die Klasse -5 erreicht Geschwindigkeiten von bis zu 200 MHz/CL3. Die Klassen -6 und -6I erreichen Geschwindigkeiten von bis zu 166 MHz/CL3 (die Industrieklasse -6I garantiert Temperaturen von -40 °C bis 85 °C). Die Klasse -7 erreicht Geschwindigkeiten von bis zu 143 MHz/CL3 und tRP = 18 ns.

Der Zugriff auf das SDRAM erfolgt burstorientiert. Aufeinanderfolgende Speicherplätze einer Seite können mit einer Burstlänge von 1, 2, 4, 8 oder einer ganzen Seite aufgerufen werden, wenn eine Bank und Zeile durch einen ACTIVE-Befehl ausgewählt wird. Spaltenadressen werden im Burst-Betrieb automatisch vom internen Zähler des SDRAM generiert. Auch das zufällige Lesen von Spalten ist möglich, indem die Adresse bei jedem Taktzyklus bereitgestellt wird.

Die Mehrbank-Funktionalität ermöglicht die Verschachtelung interner Speicherbänke, um die Vorladezeit zu verkürzen. Durch ein programmierbares Modusregister kann das System die Burst-Länge, den Latenzzyklus, die Verschachtelung oder den sequentiellen Burst ändern, um seine Leistung zu maximieren. W9864G6KH eignet sich ideal für den Hauptspeicher in Hochleistungsanwendungen.


  • Vorherige: VNH5019ATR-E Motor/Bewegung/Zündung Controller & Treiber Automotive H-Brücke 18mOhm 30A 41V VCC
  • Nächste: IPLU300N04S4-R8 MOSFET N-KANAL 30/40V

  • • 3,3 V ± 0,3 V für die Stromversorgung der Geschwindigkeitsstufen -5, -6 und -6I

    • 2,7 V ~ 3,6 V für -7 Geschwindigkeitsstufen Stromversorgung

    • Bis zu 200 MHz Taktfrequenz

    • 1.048.576 Wörter

    • 4 Banken

    • 16-Bit-Organisation

    • Selbstaktualisierungsstrom: Standard und geringer Stromverbrauch

    • CAS-Latenz: 2 und 3

    • Burst-Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite

    • Sequentieller und Interleave-Burst

    • Byte-Daten gesteuert durch LDQM, UDQM

    • Automatische Vorladung und kontrollierte Vorladung

    • Burst-Read- und Single-Writes-Modus

    • 4K-Aktualisierungszyklen/64 ms

    • Schnittstelle: LVTTL

    • Verpackt in TSOP II 54-polig, 400 mil unter Verwendung bleifreier Materialien mit RoHS-Konformität

     

     

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