W9864G6KH-6 DRAM 64 MB, SDR SDRAM, x16, 166 MHz, 46 nm
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaften | Attributwert |
Hersteller: | Winbond |
Produktkategorie: | DRAM |
RoHS: | Details |
Typ: | SDRAM |
Montageart: | SMD/SMT |
Verpackung/Koffer: | TSOP-54 |
Datenbusbreite: | 16 Bit |
Organisation: | 4 M x 16 |
Speichergröße: | 64 Mbit |
Maximale Taktfrequenz: | 166 MHz |
Zugriffszeit: | 6 ns |
Versorgungsspannung - Max: | 3,6 V |
Versorgungsspannung - Min: | 3 V |
Versorgungsstrom - Max: | 50 mA |
Minimale Betriebstemperatur: | 0 C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 70 °C |
Serie: | W9864G6KH |
Marke: | Winbond |
Feuchtigkeitsempfindlich: | Ja |
Produkttyp: | DRAM |
Fabrikpackungsmenge: | 540 |
Unterkategorie: | Speicher und Datenspeicherung |
Stückgewicht: | 9,175 g |
♠ 1M ✖ 4 BÄNKE ✖ 16 BIT SDRAM
W9864G6KH ist ein schneller synchroner dynamischer Direktzugriffsspeicher (SDRAM), organisiert als 1 Mio. Wörter × 4 Bänke × 16 Bit. W9864G6KH bietet eine Datenbandbreite von bis zu 200 Mio. Wörtern pro Sekunde. Für verschiedene Anwendungen ist W9864G6KH in die Geschwindigkeitsklassen -5, -6, -6I und -7 unterteilt. Die Klasse -5 erreicht Geschwindigkeiten von bis zu 200 MHz/CL3. Die Klassen -6 und -6I erreichen Geschwindigkeiten von bis zu 166 MHz/CL3 (die Industrieklasse -6I garantiert Temperaturen von -40 °C bis 85 °C). Die Klasse -7 erreicht Geschwindigkeiten von bis zu 143 MHz/CL3 und tRP = 18 ns.
Der Zugriff auf das SDRAM erfolgt burstorientiert. Aufeinanderfolgende Speicherplätze einer Seite können mit einer Burstlänge von 1, 2, 4, 8 oder einer ganzen Seite aufgerufen werden, wenn eine Bank und Zeile durch einen ACTIVE-Befehl ausgewählt wird. Spaltenadressen werden im Burst-Betrieb automatisch vom internen Zähler des SDRAM generiert. Auch das zufällige Lesen von Spalten ist möglich, indem die Adresse bei jedem Taktzyklus bereitgestellt wird.
Die Mehrbank-Funktionalität ermöglicht die Verschachtelung interner Speicherbänke, um die Vorladezeit zu verkürzen. Durch ein programmierbares Modusregister kann das System die Burst-Länge, den Latenzzyklus, die Verschachtelung oder den sequentiellen Burst ändern, um seine Leistung zu maximieren. W9864G6KH eignet sich ideal für den Hauptspeicher in Hochleistungsanwendungen.
• 3,3 V ± 0,3 V für die Stromversorgung der Geschwindigkeitsstufen -5, -6 und -6I
• 2,7 V ~ 3,6 V für -7 Geschwindigkeitsstufen Stromversorgung
• Bis zu 200 MHz Taktfrequenz
• 1.048.576 Wörter
• 4 Banken
• 16-Bit-Organisation
• Selbstaktualisierungsstrom: Standard und geringer Stromverbrauch
• CAS-Latenz: 2 und 3
• Burst-Länge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite
• Sequentieller und Interleave-Burst
• Byte-Daten gesteuert durch LDQM, UDQM
• Automatische Vorladung und kontrollierte Vorladung
• Burst-Read- und Single-Writes-Modus
• 4K-Aktualisierungszyklen/64 ms
• Schnittstelle: LVTTL
• Verpackt in TSOP II 54-polig, 400 mil unter Verwendung bleifreier Materialien mit RoHS-Konformität