MMBT3904TT1G Bipolartransistoren – BJT 200mA 40V NPN
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | Bipolartransistoren - BJT |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | SC-75-3 |
| Transistorpolarität: | NPN |
| Aufbau: | Einzel |
| Kollektor- Emitterspannung VCEO Max: | 40 V |
| Kollektor- Basisspannung VCBO: | 60 V |
| Emitter- Basisspannung VEBO: | 6 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: | 300mV |
| Maximaler DC-Kollektorstrom: | 200mA |
| Pd - Verlustleistung: | 225mW |
| Bandbreitenprodukt fT gewinnen: | 300 MHz |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Serie: | MMBT3904T |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | onsemi |
| Kontinuierlicher Kollektorstrom: | 0,2 A |
| DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min: | 40 |
| Höhe: | 0,75mm |
| Länge: | 1,6mm |
| Produktart: | BJTs - Bipolartransistoren |
| Werkspackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | Transistoren |
| Technologie: | Si |
| Breite: | 0,8mm |
| Gewichtseinheit: | 0,000089 oz |
• S-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die eindeutige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern;AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform*
