W9864G6KH-6 DRAM 64 MB, SDR SDRAM, x16, 166 MHz, 46 nm

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Winbond
Produktkategorie:DRAM
Datenblatt: W9864G6KH-6
Beschreibung:IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
RoHS-Status: RoHS-konform


Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaft Attributwert
Hersteller: Winbond
Produktkategorie: DRAM
RoHS: Einzelheiten
Typ: SDRAM
Montageart: SMD/SMT
Paket/Fall: TSOP-54
Datenbusbreite: 16-Bit
Organisation: 4M x 16
Speichergröße: 64 MB
Maximale Taktfrequenz: 166MHz
Zugriffszeit: 6 ns
Versorgungsspannung - max.: 3,6 V
Versorgungsspannung - Min.: 3 V
Versorgungsstrom - Max: 50mA
Minimale Betriebstemperatur: 0 C
Maximale Betriebstemperatur: + 70 C
Serie: W9864G6KH
Marke: Winbond
Feuchtigkeitsempfindlich: Ja
Produktart: DRAM
Werkspackungsmenge: 540
Unterkategorie: Speicher & Datenspeicherung
Gewichtseinheit: 9,175 g

♠ 1M ✖ 4 BANKEN ✖ 16 BITS SDRAM

W9864G6KH ist ein synchroner dynamischer Hochgeschwindigkeits-Direktzugriffsspeicher (SDRAM), organisiert als 1M-Worte  4 Bänke  16 Bit.W9864G6KH liefert eine Datenbandbreite von bis zu 200 Millionen Wörtern pro Sekunde.Für unterschiedliche Anwendungen ist W9864G6KH in die folgenden Geschwindigkeitsstufen sortiert: -5, -6, -6I und -7.Die Teile der Klasse -5 können mit bis zu 200 MHz/CL3 betrieben werden.Die Teile der Klassen -6 und -6I können mit bis zu 166 MHz/CL3 betrieben werden (die Industrieklasse -6I, die garantiert -40 °C bis 85 °C unterstützt).Die Teile der Klasse -7 können bis zu 143 MHz/CL3 und mit tRP = 18 nS laufen.

Zugriffe auf das SDRAM sind Burst-orientiert.Auf aufeinanderfolgende Speicherorte in einer Seite kann mit einer Burst-Länge von 1, 2, 4, 8 oder einer ganzen Seite zugegriffen werden, wenn eine Bank und Reihe durch einen ACTIVE-Befehl ausgewählt wird.Spaltenadressen werden im Burst-Betrieb automatisch vom SDRAM-internen Zähler generiert.Ein zufälliges Spaltenlesen ist auch möglich, indem seine Adresse bei jedem Taktzyklus bereitgestellt wird.

Die Mehrbanknatur ermöglicht eine Verschachtelung zwischen internen Bänken, um die Vorladezeit zu verbergen. Durch ein programmierbares Modusregister kann das System die Burstlänge, den Latenzzyklus, die Verschachtelung oder den sequentiellen Burst ändern, um seine Leistung zu maximieren.W9864G6KH ist ideal für Hauptspeicher in Hochleistungsanwendungen.


  • Vorherige:
  • Nächste:

  • • 3,3 V ± 0,3 V für Netzteil der Geschwindigkeitsstufen -5, -6 und -6I

    • 2,7 V~3,6 V für Netzteil mit -7 Geschwindigkeitsstufen

    • Bis zu 200 MHz Taktfrequenz

    • 1.048.576 Wörter

    • 4 Bänke

    • 16-Bit-Organisation

    • Selbstaktualisierungsstrom: Standard und Low Power

    • CAS-Latenz: 2 und 3

    • Serienlänge: 1, 2, 4, 8 und ganze Seite

    • Sequentiell und Interleave-Burst

    • Byte-Daten, die von LDQM, UDQM gesteuert werden

    • Auto-Vorladung und kontrollierte Vorladung

    • Burst-Lese-, Einzelschreibmodus

    • 4K-Auffrischungszyklen/64 ms

    • Schnittstelle: LVTTL

    • Verpackt in TSOP II 54-Pin, 400 mil aus bleifreien Materialien mit RoHS-Konformität

     

     

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