SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8 V Vds 8 V Vgs SOT-23

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Single
Datenblatt:SI2305CDS-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
RoHS-Status: RoHS-konform


Produktdetail

MERKMALE

ANWENDUNGEN

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaft Attributwert
Hersteller: Vishay
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Paket / Koffer: SOT-23-3
Transistorpolarität: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 8 V
ID - Kontinuierlicher Drainstrom: 5,8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 35 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 8 Volt, + 8 Volt
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 1 V
Qg - Gate-Ladung: 12 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Pd - Verlustleistung: 1,7 W
Kanalmodus: Erweiterung
Handelsname: TrenchFET
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband schneiden
Verpackung: MausReel
Marke: Vishay Semiconductors
Aufbau: Einzel
Abfallzeit: 10 ns
Höhe: 1,45mm
Länge: 2,9mm
Produktart: MOSFET
Anstiegszeit: 20 ns
Serie: SI2
Werkspackungsmenge: 3000
Unterkategorie: MOSFETs
Transistortyp: 1 P-Kanal
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 40 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 20 ns
Breite: 1,6mm
Teil # Aliase: SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3
Gewichtseinheit: 0,000282 oz

 


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  • • Halogenfrei Gemäß IEC 61249-2-21 Definition
    • TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
    • 100 % Rg-getestet
    • Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG

    • Lastschalter für tragbare Geräte

    • DC / DC-Wandler

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