SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 8V Vgs SOT-23
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung / Koffer: | SOT-23-3 |
| Transistorpolarität: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 8 V |
| Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 5,8 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 35 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 8 V, + 8 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 1 V |
| Qg – Gate-Ladung: | 12 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
| Pd - Verlustleistung: | 1,7 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | TrenchFET |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Konfiguration: | Einzel |
| Herbstzeit: | 10 ns |
| Höhe: | 1,45 mm |
| Länge: | 2.9 mm |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 20 ns |
| Serie: | SI2 |
| Fabrikpackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 P-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 40 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 20 ns |
| Breite: | 1,6 mm |
| Teile-Aliase: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| Stückgewicht: | 0,000282 Unzen |
• Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
• 100 % Rg-getestet
• Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
• Lastschalter für tragbare Geräte
• DC/DC-Wandler
