SI2305CDS-T1-GE3 MOSFET -8 V Vds 8 V Vgs SOT-23
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | SOT-23-3 |
| Transistorpolarität: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 8 V |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 5,8 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 35 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 8 Volt, + 8 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 1 V |
| Qg - Gate-Ladung: | 12 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Verlustleistung: | 1,7 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | TrenchFET |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Aufbau: | Einzel |
| Abfallzeit: | 10 ns |
| Höhe: | 1,45mm |
| Länge: | 2,9mm |
| Produktart: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 20 ns |
| Serie: | SI2 |
| Werkspackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 P-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 40 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 20 ns |
| Breite: | 1,6mm |
| Teil # Aliase: | SI2305CDS-T1-BE3 SI2305CDS-GE3 |
| Gewichtseinheit: | 0,000282 oz |
• Halogenfrei Gemäß IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
• 100 % Rg-getestet
• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
• Lastschalter für tragbare Geräte
• DC / DC-Wandler
