FDC8878 MOSFET 30 V N-Kanal-PowerTrench-MOSFET

Hersteller: ON Semiconductor

Produktkategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Single

Datenblatt:FDC8878

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 8A 6-SSOT

RoHS-Status: RoHS-konform

Produktdetail

Atributo del producto	Valor de atributo
Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	MOSFET
RoHS:	Details
Technologie:	Si
Bergstil:	SMD/SMT
Paket / Cubierta:	SSOT-6
Polarität des Transistors:	N-Kanal
Anzahl der Kanäle:	1 Kanal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente:	30 V
Id - Corriente de drenaje continua:	8 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente:	16 mOhm
Vgs - Spannung zwischen Puerta und Fuente:	- 20 Volt, + 20 Volt
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente:	1,2 V
Qg - Carga de Puerta:	18 nC
Mindesttemperatur des Trabajo:	- 55 C
Maximale Trabajotemperatur:	+ 150 C
Dp - Disipación de potencia :	800mW
Modo-Kanal:	Erweiterung
Handelsname:	PowerTrench
Empaquetado:	Spule
Empaquetado:	Klebeband schneiden
Empaquetado:	MausReel
Marke:	onsemi / Fairchild
Konfiguration:	Einzel
Altura:	1,1mm
Längengrad:	2,9mm
Produkttyp:	MOSFET
Serie:	FDC8878
Cantidad de empaque de fabrica:	3000
Unterkategorie:	MOSFETs
Typ des Transistors:	1 N-Kanal
Anker:	1,6mm
Unidad Peso:	0,001270 oz