FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Produktbeschreibung
| Produktattribut | Attributwert |
| Hersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technologie: | Si |
| Montagestil: | SMD/SMT |
| Paket / Karton: | SSOT-3 |
| Polarität des Transistors: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Unterbrochene Spannung zwischen Drenaje und Fuente: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continuea: | 2 A |
| Rds On - Widerstand zwischen Drenaje und Fuente: | 63 mOhm |
| Vgs - Spannung zwischen Puerta und Fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Umbralspannung zwischen Tür und Fuente: | 3 V |
| Qg – Türladung: | 9 nC |
| Minimale Arbeitstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Arbeitstemperatur: | + 150 °C |
| Dp - Potenzdisipation: | 500 mW |
| Modo-Kanal: | Erweiterung |
| Handelsname: | PowerTrench |
| Verpackt: | Spule |
| Verpackt: | Klebeband abschneiden |
| Verpackt: | Mausrolle |
| Marke: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguration: | Einzel |
| Zeit des Angriffs: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | 5 S |
| Höhe: | 1,12 mm |
| Längengrad: | 2.9 mm |
| Produkt: | MOSFET-Kleinsignal |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Dauer der Aktivität: | 13 ns |
| Serie: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fábrica: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 P-Kanal |
| Typ: | MOSFET |
| Typische Verzögerungszeit: | 11 ns |
| Typischer Demo-Zeitraum: | 6 ns |
| Ancho: | 1,4 mm |
| Alias der Teilenummer: | FDN360P_NL |
| Einheitsgewicht: | 0,001058 Unzen |
♠ Einzelner P-Kanal, PowerTrench® MOSFET
Dieser P-Kanal-Logikpegel-MOSFET wird mit dem fortschrittlichen Power-Trench-Prozess von ON Semiconductor hergestellt, der speziell darauf ausgelegt ist, den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch eine niedrige Gate-Ladung für eine überlegene Schaltleistung aufrechtzuerhalten.
Diese Geräte eignen sich gut für Niederspannungs- und batteriebetriebene Anwendungen, bei denen ein geringer Inline-Leistungsverlust und schnelles Schalten erforderlich sind.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4,5 V
· Geringe Gate-Ladung (typischerweise 6,2 nC) · Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(ON).
· Hochleistungsversion des Industriestandard-SOT-23-Pakets. Identische Pinbelegung wie SOT-23 mit 30 % höherer Belastbarkeit.
· Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform
