FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Produktbeschreibung
| Atributo del producto | Valor de atributo |
| Hersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technologie: | Si |
| Bergstil: | SMD/SMT |
| Paket / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polarität des Transistors: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id - Corriente de drenaje continua: | 2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 63 mOhm |
| Vgs - Spannung zwischen Puerta und Fuente: | - 20 Volt, + 20 Volt |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 V |
| Qg - Carga de Puerta: | 9 nC |
| Mindesttemperatur des Trabajo: | - 55 C |
| Maximale Trabajotemperatur: | + 150 C |
| Dp - Disipación de potencia : | 500mW |
| Modo-Kanal: | Erweiterung |
| Handelsname: | PowerTrench |
| Empaquetado: | Spule |
| Empaquetado: | Klebeband schneiden |
| Empaquetado: | MausReel |
| Marke: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguration: | Einzel |
| Tiempo de caída: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | 5 S |
| Altura: | 1,12 mm |
| Längengrad: | 2,9mm |
| Produkt: | MOSFET-Kleinsignal |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 13 ns |
| Serie: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Typ des Transistors: | 1 P-Kanal |
| Typ: | MOSFET |
| Tiempo de retardo de apagado típico: | 11 ns |
| Tiempo típico de demora de encendido: | 6 ns |
| Anker: | 1,4mm |
| Alias de las piezas n.º: | FDN360P_NL |
| Unidad Peso: | 0,001058 oz |
♠ Einzelner P-Kanal, PowerTrenchÒ MOSFET
Dieser P-Kanal-MOSFET mit Logikpegel wird unter Verwendung des fortschrittlichen Power-Trench-Prozesses von ON Semiconductor hergestellt, der speziell darauf zugeschnitten wurde, den Durchlasswiderstand zu minimieren und dennoch eine niedrige Gate-Ladung für eine überlegene Schaltleistung beizubehalten.
Diese Bauteile eignen sich gut für Niederspannungs- und batteriebetriebene Anwendungen, bei denen geringe Inline-Leistungsverluste und schnelles Schalten erforderlich sind.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4,5 V
· Niedrige Gate-Ladung (6,2 nC typisch) · Hochleistungs-Trench-Technologie für extrem niedrigen RDS(ON) .
· Hochleistungsversion des SOT-23-Gehäuses nach Industriestandard.Identische Pinbelegung wie SOT-23 mit 30 % höherer Belastbarkeit.
· Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform
