VNB35NV04TR-E Leistungsschalter-ICs – Stromverteilung N-Kanal 70 V 35 A OmniFET

Kurze Beschreibung:

Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: PMIC – Leistungsverteilungsschalter, Lasttreiber
Datenblatt:VNB35NV04TR-E
Beschreibung: MOSFET OMNIFETII 40V 30A D2PAK
RoHS-Status: RoHS-konform


Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaft Attributwert
Hersteller: STMicroelectronics
Produktkategorie: Leistungsschalter-ICs - Stromverteilung
Typ: Niedrige Seite
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Derzeitige Begrenzung: 30 A
Ein Widerstand - Max: 13 mOhm
Pünktlich - Max.: 500 ns
Ausschaltzeit - Max: 3 uns
Betriebsspannung: 24 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Montageart: SMD/SMT
Paket / Koffer: D2PAK-2
Serie: VNB35NV04-E
Qualifikation: AEC-Q100
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband schneiden
Verpackung: MausReel
Marke: STMicroelectronics
Feuchtigkeitsempfindlich: Ja
Pd - Verlustleistung: 125 W
Produkt: Lastschalter
Produktart: Leistungsschalter-ICs - Stromverteilung
Werkspackungsmenge: 1000
Unterkategorie: ICs wechseln
Gewichtseinheit: 0,066315 oz

♠ OMNIFET II: vollständig selbstgeschützter Leistungs-MOSFET

Die VNB35NV04-E, VNP35NV04-E und VNV35NV04-E sind monolithische Bauelemente, die in STMicroelectronics® VIPower® M0-3-Technologie entwickelt wurden und für den Ersatz von Standard-Leistungs-MOSFETs von DC- bis zu 25-kHz-Anwendungen vorgesehen sind.

Eingebaute thermische Abschaltung, lineare Strombegrenzung und Überspannungsbegrenzung schützen den Chip in rauen Umgebungen.Eine Fehlerrückmeldung kann durch Überwachung der Spannung am Eingangspin erkannt werden.


  • Vorherige:
  • Nächste:

  • • Lineare Strombegrenzung
    • Thermische Abschaltung
    • Kurzschlussschutz
    • Integrierte Klemme
    • Niedrige Stromaufnahme vom Eingangspin
    • Diagnoserückmeldung über Eingangspin
    • ESD-Schutz
    • Direkter Zugriff auf das Gate des Leistungs-MOSFET (analoges Treiben)
    • Kompatibel mit Standard-Leistungs-MOSFET

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