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TEA1995T/1J Spezialisiertes Energiemanagement – ​​PMIC-Synchrongleichrichter-Controller

TEA1995T/1J Spezialisiertes Energiemanagement – ​​PMIC-Synchrongleichrichter-Controller Ausgewähltes Bild
  • TEA1995T/1J Spezialisiertes Energiemanagement – ​​PMIC-Synchrongleichrichter-Controller

Kurze Beschreibung:

Hersteller:NXP

Produktkategorie: Spezialisiertes Energiemanagement – ​​PMIC

Datenblatt:TEA1995T/1J

Beschreibung:IC CTRLR SYNC RECT 8SOIC

RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

ANWENDUNGEN

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: NXP
Produktkategorie: Spezialisiertes Energiemanagement – ​​PMIC
RoHS: Details
Serie: TEA1995T
Typ: Regler
Montageart: SMD/SMT
Ausgangsstrom: -
Eingangsspannungsbereich: 4,5 V bis 38 V
Ausgangsspannungsbereich: 4,9 V bis 13 V
Minimale Betriebstemperatur: - 40 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 °C
Eingangsstrom: 1,1 mA
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: Mausrolle
Marke: NXP Semiconductors
Eingangsspannung, max.: 38 V
Eingangsspannung, min.: 4,5 V
Maximale Ausgangsspannung: 13 V
Produkttyp: Spezialisiertes Energiemanagement – ​​PMIC
Fabrikpackungsmenge: 2500
Unterkategorie: PMIC – Energieverwaltungs-ICs
Teile-Aliase: 935304603118
Stückgewicht: 0,002864 Unzen

♠ GreenChip Dual-Synchrongleichrichter-Controller

Der TEA1995T ist das erste Produkt einer neuen Generation von Synchrongleichrichter-Controller-ICs (SR) für Schaltnetzteile. Er verfügt über eine adaptive Gate-Ansteuerung für maximale Effizienz bei jeder Last.

Der TEA1995T ist ein dedizierter Controller-IC für die synchrone Gleichrichtung auf der Sekundärseite von Resonanzwandlern. Er verfügt über zwei Treiberstufen zur Ansteuerung der SR-MOSFETs, die die Ausgänge der Mittelanzapfungs-Sekundärwicklungen des Transformators gleichrichten. Die beiden Gate-Treiberstufen verfügen über eigene Sensoreingänge und arbeiten unabhängig voneinander.

Der TEA1995T kann auch in Flyback-Konvertern mit mehreren Ausgängen verwendet werden, wobei der SR-MOSFET auf der Low-Side platziert ist.

Der TEA1995T wird in einem Silicon-On-Insulator (SOI)-Prozess hergestellt.

 


  • Vorherige: BSC072N08NS5 MOSFET N-Kanal 80V 74A TDSON-8
  • Nächste: STM32F407ZET6 ARM-Mikrocontroller MCU ARM M4 512 FLASH 168 MHz 192 kB SRAM

  • Effizienzmerkmale

    • Adaptiver Gate-Antrieb für maximale Effizienz bei jeder Last

    •Versorgungsstrom im Energiesparbetrieb unter 200 μA

    Anwendungsfunktionen

    • Weiter Versorgungsspannungsbereich von 4,5 V bis 38 V

    • Duale synchrone Gleichrichtung für LLC-Resonanz im SO8-Paket

    • Synchrongleichrichtung für Sperrwandler mit mehreren Ausgängen

    • Unterstützt 5-V-Betrieb mit Logikpegel-SR-MOSFETs

    • Differenzielle Eingänge zum Erfassen der Drain- und Source-Spannungen jedes SR-MOSFET

    Steuerungsfunktionen

    • SR-Steuerung ohne Mindesteinschaltdauer

    • Adaptiver Gate-Antrieb für schnelles Abschalten am Ende der Leitung

    • UnderVoltage LockOut (UVLO)-Schutz mit aktivem Gate-Pulldown

     

     

    • Adapter

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    • Netzteile für Fernseher

    • Netzteile für Server

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