BSC072N08NS5 MOSFET N-Kanal 80V 74A TDSON-8

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Single
Datenblatt:BSC072N08NS5
Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 74A 8TDSON
RoHS-Status: RoHS-konform


Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaft Attributwert
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Paket / Koffer: TDSON-8
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 80 V
ID - Kontinuierlicher Drainstrom: 74 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 7,2 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 Volt, + 20 Volt
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 2,2 V
Qg - Gate-Ladung: 24 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Pd - Verlustleistung: 69 W
Kanalmodus: Erweiterung
Handelsname: OptiMOS
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband schneiden
Verpackung: MausReel
Marke: Infineon-Technologien
Aufbau: Einzel
Abfallzeit: 5 ns
Vorwärtstranskonduktanz - Min.: 31 S
Höhe: 1,27mm
Länge: 5,9mm
Produktart: MOSFET
Anstiegszeit: 7 ns
Serie: OptiMOS5
Werkspackungsmenge: 5000
Unterkategorie: MOSFETs
Transistortyp: 1 N-Kanal
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 19 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
Breite: 5,15 mm
Teil # Aliase: BSC072N08NS5 SP001232628
Gewichtseinheit: 0,003683 oz

 


  • Vorherige:
  • Nächste:

  • •Optimiert für Hochleistungs-SMPS, z. B. sync.rec.

    •100 % lawinengetestet

    •Überragender Wärmewiderstand

    •N-Kanal

    •Qualifiziert nach JEDEC1) für Zielanwendungen

    •Pb-freie Bleibeschichtung;RoHS-konform

    •Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21

    Verwandte Produkte