STH3N150-2 MOSFET N-CH 1500V 6Ohm 2.5A PowerMESH
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket/Fall: | H2PAK-2 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 1,5 kV |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 2,5A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 9 Ohm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 Volt, + 20 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 3 V |
| Qg - Gate-Ladung: | 29,3 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Verlustleistung: | 140 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | PowerMESH |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Aufbau: | Einzel |
| Abfallzeit: | 61 ns |
| Vorwärtstranskonduktanz - Min.: | 2,6 Sek |
| Produktart: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 47 ns |
| Serie: | STH3N150-2 |
| Werkspackungsmenge: | 1000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal-Leistungs-MOSFET |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 45 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 24 ns |
| Gewichtseinheit: | 4 gr |
♠ N-Kanal 1500 V, 2,5 A, 6 Ω typ., PowerMESH-Leistungs-MOSFETs in TO-3PF-, H2PAK-2-, TO-220- und TO247-Gehäusen
Diese Leistungs-MOSFETs werden unter Verwendung des STMicroelectronics konsolidierten Streifenlayout-basierten MESH OVERLAY-Prozesses entwickelt.Das Ergebnis ist ein Produkt, das die Leistung vergleichbarer Standardteile anderer Hersteller erreicht oder verbessert.
• 100 % lawinengetestet
• Eigenkapazitäten und Qg minimiert
• Hochgeschwindigkeitsumschaltung
• Vollständig isoliertes TO-3PF-Kunststoffgehäuse, Kriechstrecke beträgt 5,4 mm (typ.)
• Anwendungen wechseln
