STD4NK100Z MOSFET Automobiltauglicher N-Kanal 1000 V, 5,6 Ohm typ. 2,2 A SuperMESH-Leistungs-MOSFET
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung / Koffer: | TO-252-3 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 1 kV |
| Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 2,2 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 6,8 Ohm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 4,5 V |
| Qg – Gate-Ladung: | 18 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
| Pd - Verlustleistung: | 90 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Qualifikation: | AEC-Q101 |
| Handelsname: | SuperMESH |
| Serie: | STD4NK100Z |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Konfiguration: | Einzel |
| Herbstzeit: | 39 ns |
| Höhe: | 2,4 mm |
| Länge: | 10,1 mm |
| Produkt: | Leistungs-MOSFETs |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 7,5 ns |
| Fabrikpackungsmenge: | 2500 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal |
| Typ: | SuperMESH |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 15 ns |
| Breite: | 6,6 mm |
| Stückgewicht: | 0,011640 Unzen |
♠ N-Kanal 1000 V, 5,6 Ω typ., 2,2 A SuperMESH™ Power MOSFET in Automobilqualität, Zener-geschützt in einem DPAK
Bei diesem Baustein handelt es sich um einen n-Kanal-Zener-geschützten Leistungs-MOSFET, der mit der SuperMESH™-Technologie von STMicroelectronics entwickelt wurde. Diese wurde durch Optimierung des bewährten streifenbasierten PowerMESH™-Layouts von ST erreicht. Neben einer deutlichen Reduzierung des Einschaltwiderstands gewährleistet dieser Baustein eine hohe dv/dt-Fähigkeit für anspruchsvollste Anwendungen.
• Für Automobilanwendungen konzipiert und AEC-Q101-qualifiziert
• Extrem hohe dv/dt-Fähigkeit
• 100 % lawinengetestet
• Gate-Ladung minimiert
• Sehr niedrige Eigenkapazität
• Zener-geschützt
• Anwendung wechseln
