STD4NK100Z MOSFET N-Kanal 1000 V, 5,6 Ohm, typ. 2,2 A SuperMESH-Leistungs-MOSFET in Automobilqualität
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | TO-252-3 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 1 kV |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 2,2 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 6,8 Ohm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 30 Volt, + 30 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 4,5 V |
| Qg - Gate-Ladung: | 18 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Verlustleistung: | 90 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Qualifikation: | AEC-Q101 |
| Handelsname: | SuperMESH |
| Serie: | STD4NK100Z |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Aufbau: | Einzel |
| Abfallzeit: | 39 ns |
| Höhe: | 2,4mm |
| Länge: | 10,1mm |
| Produkt: | Leistungs-MOSFETs |
| Produktart: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 7,5 ns |
| Werkspackungsmenge: | 2500 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal |
| Typ: | SuperMESH |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 15 ns |
| Breite: | 6,6mm |
| Gewichtseinheit: | 0,011640 oz |
♠ N-Kanal 1000 V, 5,6 Ω typ., 2,2 A SuperMESH™-Leistungs-MOSFET in Automobilqualität, Zener-geschützt in einem DPAK
Bei diesem Bauteil handelt es sich um einen n-Kanal-Leistungs-MOSFET mit Zener-Schutz, der mit der SuperMESH™-Technologie von STMicroelectronics entwickelt wurde, die durch die Optimierung des bewährten streifenbasierten PowerMESH™-Layouts von ST erreicht wurde.Neben einer erheblichen Verringerung des Einschaltwiderstands ist dieses Gerät so konzipiert, dass es ein hohes Maß an dv/dt-Fähigkeit für die anspruchsvollsten Anwendungen gewährleistet.
• Entwickelt für Automobilanwendungen und AEC-Q101-qualifiziert
• Extrem hohe dv/dt-Fähigkeit
• 100 % lawinengetestet
• Gate-Ladung minimiert
• Sehr niedrige Eigenkapazität
• Zener-geschützt
• Anwendung wechseln
