SIA427ADJ-T1-GE3 MOSFET -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaften | Attributwert |
Hersteller: | Vishay |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Details |
Technologie: | Si |
Montageart: | SMD/SMT |
Verpackung/Koffer: | SC-70-6 |
Transistorpolarität: | P-Kanal |
Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 8 V |
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 12 A |
Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 95 mOhm |
Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 5 V, + 5 V |
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 800 mV |
Qg – Gate-Ladung: | 50 nC |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
Pd - Verlustleistung: | 19 W |
Kanalmodus: | Erweiterung |
Handelsname: | TrenchFET |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband abschneiden |
Verpackung: | Mausrolle |
Marke: | Vishay Semiconductors |
Konfiguration: | Einzel |
Produkttyp: | MOSFET |
Serie: | SIA |
Fabrikpackungsmenge: | 3000 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Stückgewicht: | 82.330 mg |
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
• Thermisch verbessertes PowerPAK® SC-70-Paket
– Kleine Stellfläche
– Niedriger Einschaltwiderstand
• 100 % Rg getestet
• Lastschalter für 1,2 V Stromleitung für tragbare und Handgeräte