SI9435BDY-T1-E3 MOSFET 30V 5,7A 0,042Ohm
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket/Fall: | SOIC-8 |
| Transistorpolarität: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 30 V |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 5,7 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 42 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 10 Volt, + 10 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 1 V |
| Qg - Gate-Ladung: | 24 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Verlustleistung: | 2,5 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | TrenchFET |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Aufbau: | Einzel |
| Abfallzeit: | 30 ns |
| Vorwärtstranskonduktanz - Min.: | 13 S |
| Produktart: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 42 ns |
| Serie: | SI9 |
| Werkspackungsmenge: | 2500 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 P-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 30 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 14 ns |
| Teil # Aliase: | SI9435BDY-E3 |
| Gewichtseinheit: | 750mg |
• Halogenfrei Gemäß IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
