NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH

Kurze Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor

Produktkategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Single

Datenblatt:NTMFS4C028NT1G

Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 16.4A 52A 5DFN

RoHS-Status: RoHS-konform


Produktdetail

Merkmale

Anwendungen

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaft Attributwert
Hersteller: onsemi
Produktkategorie: MOSFET
RoHS: Einzelheiten
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Paket / Koffer: SO-8FL-4
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 30 V
ID - Kontinuierlicher Drainstrom: 52A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 4,73 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 Volt, + 20 Volt
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 2,2 V
Qg - Gate-Ladung: 22,2 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Pd - Verlustleistung: 6 W
Kanalmodus: Erweiterung
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband schneiden
Verpackung: MausReel
Marke: onsemi
Aufbau: Einzel
Produktart: MOSFET
Serie: NTMFS4C028N
Werkspackungsmenge: 1500
Unterkategorie: MOSFETs
Gewichtseinheit: 0,026455 oz

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  • • Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten

    • Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten

    • Optimierte Gate-Ladung zur Minimierung von Schaltverlusten

    • Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

    • CPU-Stromversorgung

    • DC-DC-Wandler

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