NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaft | Attributwert |
Hersteller: | onsemi |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Einzelheiten |
Technologie: | Si |
Montageart: | SMD/SMT |
Paket / Koffer: | SO-8FL-4 |
Transistorpolarität: | N-Kanal |
Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 30 V |
ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 52A |
Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 4,73 mOhm |
Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 Volt, + 20 Volt |
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 2,2 V |
Qg - Gate-Ladung: | 22,2 nC |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
Pd - Verlustleistung: | 6 W |
Kanalmodus: | Erweiterung |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband schneiden |
Verpackung: | MausReel |
Marke: | onsemi |
Aufbau: | Einzel |
Produktart: | MOSFET |
Serie: | NTMFS4C028N |
Werkspackungsmenge: | 1500 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Gewichtseinheit: | 0,026455 oz |
• Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Niedrige Kapazität zur Minimierung von Treiberverlusten
• Optimierte Gate-Ladung zur Minimierung von Schaltverlusten
• Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
• CPU-Stromversorgung
• DC-DC-Wandler