NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaften | Attributwert |
Hersteller: | onsemi |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Details |
Technologie: | Si |
Montageart: | SMD/SMT |
Verpackung / Koffer: | SO-8FL-4 |
Transistorpolarität: | N-Kanal |
Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 30 V |
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 52 A |
Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 4,73 mOhm |
Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 2,2 V |
Qg – Gate-Ladung: | 22,2 nC |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
Pd - Verlustleistung: | 6 W |
Kanalmodus: | Erweiterung |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband abschneiden |
Verpackung: | Mausrolle |
Marke: | onsemi |
Konfiguration: | Einzel |
Produkttyp: | MOSFET |
Serie: | NTMFS4C028N |
Fabrikpackungsmenge: | 1500 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Stückgewicht: | 0,026455 Unzen |
• Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Geringe Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste
• Optimierte Gate-Ladung zur Minimierung von Schaltverlusten
• Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
• CPU-Stromversorgung
• DC−DC-Wandler