NTK3043NT1G MOSFET NFET 20V 285mA TR
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaft | Attributwert |
Hersteller: | onsemi |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Einzelheiten |
Technologie: | Si |
Montageart: | SMD/SMT |
Paket / Koffer: | SOT-723-3 |
Transistorpolarität: | N-Kanal |
Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 20 V |
ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 255mA |
Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 3,4 Ohm |
Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 10 Volt, + 10 Volt |
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 400mV |
Qg - Gate-Ladung: | - |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
Pd - Verlustleistung: | 440mW |
Kanalmodus: | Erweiterung |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband schneiden |
Verpackung: | MausReel |
Marke: | onsemi |
Aufbau: | Einzel |
Abfallzeit: | 15 ns |
Vorwärtstranskonduktanz - Min.: | 0,275 S |
Höhe: | 0,5mm |
Länge: | 1,2mm |
Produkt: | MOSFET-Kleinsignal |
Produktart: | MOSFET |
Anstiegszeit: | 15 ns |
Serie: | NTK3043N |
Werkspackungsmenge: | 4000 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Transistortyp: | 1 N-Kanal |
Typ: | MOSFET |
Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 94 ns |
Typische Einschaltverzögerungszeit: | 13 ns |
Breite: | 0,8mm |
Gewichtseinheit: | 0,000045 oz |
• Ermöglicht die Herstellung von Leiterplatten mit hoher Dichte
• 44 % kleinerer Platzbedarf als SC−89 und 38 % dünner als SC−89
• Niederspannungsantrieb macht dieses Gerät ideal für tragbare Geräte
• Niedrige Schwellenpegel, VGS(TH) < 1,3 V
• Niedriges Profil (< 0,5 mm) ermöglicht den problemlosen Einbau in extrem dünne Umgebungen wie tragbare Elektronik
• Betrieb auf Gate-Drive auf Standard-Logikebene, wodurch künftige Migrationen auf niedrigere Ebenen unter Verwendung der gleichen grundlegenden Topologie erleichtert werden
• Dies sind bleifreie und halogenfreie Geräte
• Schnittstellen, Vermittlung
• Hochgeschwindigkeitsumschaltung
• Mobiltelefone, PDAs