NTK3043NT1G MOSFET NFET 20V 285mA TR
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaften | Attributwert |
Hersteller: | onsemi |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Details |
Technologie: | Si |
Montageart: | SMD/SMT |
Verpackung / Koffer: | SOT-723-3 |
Transistorpolarität: | N-Kanal |
Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 20 V |
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 255 mA |
Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 3,4 Ohm |
Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 10 V, + 10 V |
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 400 mV |
Qg – Gate-Ladung: | - |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
Pd - Verlustleistung: | 440 mW |
Kanalmodus: | Erweiterung |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband abschneiden |
Verpackung: | Mausrolle |
Marke: | onsemi |
Konfiguration: | Einzel |
Herbstzeit: | 15 ns |
Vorwärtssteilheit - Min: | 0,275 S |
Höhe: | 0,5 mm |
Länge: | 1,2 mm |
Produkt: | MOSFET-Kleinsignal |
Produkttyp: | MOSFET |
Anstiegszeit: | 15 ns |
Serie: | NTK3043N |
Fabrikpackungsmenge: | 4000 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Transistortyp: | 1 N-Kanal |
Typ: | MOSFET |
Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 94 ns |
Typische Einschaltverzögerungszeit: | 13 ns |
Breite: | 0,8 mm |
Stückgewicht: | 0,000045 Unzen |
• Ermöglicht die Herstellung von PCBs mit hoher Dichte
• 44 % kleinerer Platzbedarf als SC−89 und 38 % dünner als SC−89
• Niederspannungsantrieb macht dieses Gerät ideal für tragbare Geräte
• Niedrige Schwellenwerte, VGS(TH) < 1,3 V
• Niedriges Profil (< 0,5 mm) ermöglicht den einfachen Einbau in extrem dünne Umgebungen wie tragbare Elektronik
• Betrieb mit Gate-Ansteuerung auf Standard-Logikebene, was eine zukünftige Migration auf niedrigere Ebenen unter Verwendung der gleichen grundlegenden Topologie erleichtert
• Dies sind bleifreie und halogenfreie Geräte
• Schnittstellen, Switching
• Hochgeschwindigkeits-Umschaltung
• Mobiltelefone, PDAs