NCV8402ADDR2G MOSFET 42V2A
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | SOIC-8 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 2 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 55 V |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 2 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 165 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 14 Volt, + 14 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 1,3 V |
| Qg - Gate-Ladung: | - |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Verlustleistung: | 800mW |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Qualifikation: | AEC-Q101 |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | onsemi |
| Aufbau: | Einzel |
| Produktart: | MOSFET |
| Serie: | NCV8402AD |
| Werkspackungsmenge: | 2500 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 2 N-Kanal |
| Gewichtseinheit: | 0,002610 oz |
♠Dualer selbstgeschützter Low-Side-Treiber mit Temperatur- und Strombegrenzung
NCV8402D/AD ist ein doppelt geschütztes Low-Side-Smart-Discrete-Gerät.Die Schutzfunktionen umfassen Überstrom, Übertemperatur, ESD und integrierte Drain-to-Gate-Klemmung für Überspannungsschutz.Dieses Gerät bietet Schutz und ist für raue Automobilumgebungen geeignet.
• Kurzschlussschutz
• Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart
• Überspannungsschutz
• Integrierte Klemme für induktives Schalten
• ESD-Schutz
• dV/dt-Robustheit
• Analogantriebsfähigkeit (Logikpegeleingang)
• NCV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die eindeutige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern;AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
• Schalten Sie eine Vielzahl von ohmschen, induktiven und kapazitiven Lasten
• Kann elektromechanische Relais und diskrete Schaltungen ersetzen
• Automobil / Industrie
