NCV8402ADDR2G MOSFET 42V2A
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung / Koffer: | SOIC-8 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 2-Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 55 V |
| Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 2 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 165 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 14 V, + 14 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 1,3 V |
| Qg – Gate-Ladung: | - |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
| Pd - Verlustleistung: | 800 mW |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Qualifikation: | AEC-Q101 |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | onsemi |
| Konfiguration: | Einzel |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Serie: | NCV8402AD |
| Fabrikpackungsmenge: | 2500 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 2 N-Kanal |
| Stückgewicht: | 0,002610 Unzen |
♠ Dualer selbstgeschützter Low-Side-Treiber mit Temperatur- und Strombegrenzung
NCV8402D/AD ist ein doppelt geschütztes Low-Side-Smart-Discrete-Gerät. Die Schutzfunktionen umfassen Überstrom, Übertemperatur, ESD und integrierte Drain-to-Gate-Klemmung zum Überspannungsschutz. Dieses Gerät bietet Schutz und ist für raue Automobilumgebungen geeignet.
• Kurzschlussschutz
• Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart
• Überspannungsschutz
• Integrierte Klemme für induktives Schalten
• ESD-Schutz
• dV/dt-Robustheit
• Analoge Antriebsfähigkeit (Logikpegeleingang)
• NCV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
• Schalten einer Vielzahl von ohmschen, induktiven und kapazitiven Lasten
• Kann elektromechanische Relais und diskrete Schaltkreise ersetzen
• Automobil/Industrie
