FGH40T120SMD-F155 IGBT-Transistoren 1200 V 40 A Feldstopp-Graben-IGBT
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | IGBT-Transistoren |
| Technologie: | Si |
| Paket / Koffer: | TO-247G03-3 |
| Montageart: | Durchgangsloch |
| Aufbau: | Einzel |
| Kollektor- Emitterspannung VCEO Max: | 1200 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: | 2 V |
| Maximale Gate-Emitter-Spannung: | 25 V |
| Kollektordauerstrom bei 25 C: | 80 A |
| Pd - Verlustleistung: | 555 W |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 175 C |
| Serie: | FGH40T120SMD |
| Verpackung: | Rohr |
| Marke: | onsemi / Fairchild |
| Kollektordauerstrom Ic max: | 40 A |
| Gate-Emitter-Leckstrom: | 400 nA |
| Produktart: | IGBT-Transistoren |
| Werkspackungsmenge: | 30 |
| Unterkategorie: | IGBTs |
| Teil # Aliase: | FGH40T120SMD_F155 |
| Gewichtseinheit: | 0,225401 oz |
♠ IGBT – Feldstopp, Trench 1200 V, 40 A FGH40T120SMD, FGH40T120SMD-F155
Unter Verwendung der innovativen Field-Stop-Trench-IGBT-Technologie bietet die neue Reihe von Field-Stop-Trench-IGBTs von ON Semiconductor die optimale Leistung für hart schaltende Anwendungen wie Solar-Wechselrichter, USV-, Schweißer- und PFC-Anwendungen.
• FS-Trench-Technologie, positiver Temperaturkoeffizient
• Hochgeschwindigkeitsumschaltung
• Niedrige Sättigungsspannung: VCE(sat) = 1,8 V @ IC = 40 A
• 100 % der Teile auf ILM getestet(1)
• Hohe Eingangsimpedanz
• Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform
• Solarwechselrichter, Schweißer, USV- und PFC-Anwendungen
