IPC70N04S5L4R2ATMA1 MOSFET MOSFET_(20V,40V)
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | Infineon |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung / Koffer: | TDSON-8 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 40 V |
| Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 70 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 3,4 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 16 V, + 16 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 1,2 V |
| Qg – Gate-Ladung: | 30 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 175 °C |
| Pd - Verlustleistung: | 50 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Qualifikation: | AEC-Q101 |
| Handelsname: | OptiMOS |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | Infineon Technologies |
| Konfiguration: | Einzel |
| Herbstzeit: | 6 ns |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 2 ns |
| Serie: | N-Kanal |
| Fabrikpackungsmenge: | 5000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 11 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 3 ns |
| Teile-Aliase: | IPC70N04S5L-4R2 SP001418126 |
| Stückgewicht: | 0,003927 Unzen |
• OptiMOS™ – Leistungs-MOSFET für Automobilanwendungen
• N-Kanal – Verbesserungsmodus – Logikpegel
• AEC Q101 qualifiziert
• MSL1 bis zu 260 °C Spitzen-Reflow
• 175 °C Betriebstemperatur
• Umweltfreundliches Produkt (RoHS-konform)
• 100 % lawinengetestet
