IKW50N65ES5XKSA1 IGBT-Transistoren INDUSTRIE 14

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistoren – IGBTs – Single
Datenblatt:IKW50N65ES5XKSA1
Beschreibung: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
RoHS-Status: RoHS-konform


Produktdetail

Merkmale

Anwendungen

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaft Attributwert
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: IGBT-Transistoren
Technologie: Si
Paket / Koffer: TO-247-3
Montageart: Durchgangsloch
Aufbau: Einzel
Kollektor- Emitterspannung VCEO Max: 650 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1,35 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung: 20 V
Kollektordauerstrom bei 25 C: 80 A
Pd - Verlustleistung: 274 W
Minimale Betriebstemperatur: - 40 C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C
Serie: GRABENSTOP 5 S5
Verpackung: Rohr
Marke: Infineon-Technologien
Gate-Emitter-Leckstrom: 100 nA
Höhe: 20,7mm
Länge: 15,87 mm
Produktart: IGBT-Transistoren
Werkspackungsmenge: 240
Unterkategorie: IGBTs
Handelsname: GRABENSTOPP
Breite: 5,31 mm
Teil # Aliase: IKW50N65ES5 SP001319682
Gewichtseinheit: 0,213537 Unzen

 


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  • HighspeedS5-Technologieangebot
    •Highspeedsmoothswitchinggerätforhard&softswitching
    •Sehr niedrige VCEsat, 1,35 V bei Nennstrom
    • Plug-and-Play-Ersatz früherer IGBT-Generationen
    •650VDurchbruchspannung
    •LowgatechargeQG
    •IGBT mit RAPID1-schneller antiparalleler Diode mit voller Nennleistung
    •Maximale Sperrschichttemperatur175°C
    •Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen
    •Pb-freie Bleibeschichtung;RoHS-konform
    •Vollständiges Produktspektrum und PSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/

    •Resonanzwandler
    •Unterbrechungsfreie Stromversorgung
    •Schweißkonverter
    •Schaltfrequenzwandler im mittleren bis hohen Bereich

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