IKW50N65ES5XKSA1 IGBT-Transistoren INDUSTRIE 14
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | Infineon |
| Produktkategorie: | IGBT-Transistoren |
| Technologie: | Si |
| Paket / Koffer: | TO-247-3 |
| Montageart: | Durchgangsloch |
| Aufbau: | Einzel |
| Kollektor- Emitterspannung VCEO Max: | 650 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: | 1,35 V |
| Maximale Gate-Emitter-Spannung: | 20 V |
| Kollektordauerstrom bei 25 C: | 80 A |
| Pd - Verlustleistung: | 274 W |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 40 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 175 C |
| Serie: | GRABENSTOP 5 S5 |
| Verpackung: | Rohr |
| Marke: | Infineon-Technologien |
| Gate-Emitter-Leckstrom: | 100 nA |
| Höhe: | 20,7mm |
| Länge: | 15,87 mm |
| Produktart: | IGBT-Transistoren |
| Werkspackungsmenge: | 240 |
| Unterkategorie: | IGBTs |
| Handelsname: | GRABENSTOPP |
| Breite: | 5,31 mm |
| Teil # Aliase: | IKW50N65ES5 SP001319682 |
| Gewichtseinheit: | 0,213537 Unzen |
HighspeedS5-Technologieangebot
•Highspeedsmoothswitchinggerätforhard&softswitching
•Sehr niedrige VCEsat, 1,35 V bei Nennstrom
• Plug-and-Play-Ersatz früherer IGBT-Generationen
•650VDurchbruchspannung
•LowgatechargeQG
•IGBT mit RAPID1-schneller antiparalleler Diode mit voller Nennleistung
•Maximale Sperrschichttemperatur175°C
•Qualifiziert nach JEDEC für Zielanwendungen
•Pb-freie Bleibeschichtung;RoHS-konform
•Vollständiges Produktspektrum und PSpiceModels: http://www.infineon.com/igbt/
•Resonanzwandler
•Unterbrechungsfreie Stromversorgung
•Schweißkonverter
•Schaltfrequenzwandler im mittleren bis hohen Bereich
