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DMN2400UV-7 MOSFET MOSFET, N-KANAL

DMN2400UV-7 MOSFET MOSFET, N-KANAL Ausgewähltes Bild
  • DMN2400UV-7 MOSFET MOSFET, N-KANAL

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays
Datenblatt:DMN2400UV-7
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 20V 1,33A SOT563
RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: Diodes Incorporated
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Verpackung / Koffer: SOT-563-6
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 2-Kanal
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 20 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: 1,33 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 480 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 12 V, + 12 V
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: 500 mV
Qg – Gate-Ladung: 500 pC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 °C
Pd - Verlustleistung: 530 mW
Kanalmodus: Erweiterung
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: Mausrolle
Marke: Diodes Incorporated
Konfiguration: Dual
Herbstzeit: 10,54 ns
Produkt: MOSFET-Kleinsignal
Produkttyp: MOSFET
Anstiegszeit: 7,28 ns
Serie: DMN2400
Fabrikpackungsmenge: 3000
Unterkategorie: MOSFETs
Transistortyp: 2 N-Kanal
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 13,74 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 4,06 ns
Stückgewicht: 0,000212 Unzen

 


  • Vorherige: STM32F103ZET6 ARM-Mikrocontroller MCU 32BIT Cortex M3 Performance LINE
  • Nächste: SPC5605BK0VLL6 32-Bit-Mikrocontroller – MCU BOLERO 1M Cu WIRE

  • · Komplementärer P + N-Kanal
    · Verbesserungsmodus
    · Super Logic-Pegel (2,5 V Nennwert)
    · Gemeinsamer Abfluss
    · Lawinentauglich
    · 175 °C Betriebstemperatur
    · Qualifiziert nach AEC Q101
    · 100 % bleifrei; RoHS-konform
    · Halogenfrei gemäß IEC61246-21

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