BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Kanal 80V 100A
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | Infineon |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | TDSON-8 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 80 V |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 100 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 4,5 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 Volt, + 20 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 2,2 V |
| Qg - Gate-Ladung: | 61 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Verlustleistung: | 139 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | OptiMOS |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | Infineon-Technologien |
| Aufbau: | Einzel |
| Abfallzeit: | 13 ns |
| Vorwärtstranskonduktanz - Min.: | 55 S |
| Höhe: | 1,27mm |
| Länge: | 5,9mm |
| Produktart: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 12 ns |
| Serie: | OptiMOS5 |
| Werkspackungsmenge: | 5000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 43 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 20 ns |
| Breite: | 5,15 mm |
| Teil # Aliase: | BSC030N08NS5 SP001077098 |
| Gewichtseinheit: | 0,017870 oz |
•Optimiert für Hochleistungs-SMPS, zBsync.rec.
•100 % lawinengetestet
•Überlegener thermischer Widerstand
•N-Kanal
•Qualifiziert nach JEDEC1) für Zielapplikationen
•Pb-freie Bleibeschichtung; RoHS-konform
•Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
