BSC030N08NS5ATMA1 MOSFET N-Kanal 80 V 100 A
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | Infineon |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung / Koffer: | TDSON-8 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 80 V |
| Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 100 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 4,5 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 2,2 V |
| Qg – Gate-Ladung: | 61 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
| Pd - Verlustleistung: | 139 Watt |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | OptiMOS |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | Infineon Technologies |
| Konfiguration: | Einzel |
| Herbstzeit: | 13 ns |
| Vorwärtssteilheit - Min: | 55 S |
| Höhe: | 1,27 mm |
| Länge: | 5,9 mm |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 12 ns |
| Serie: | OptiMOS 5 |
| Fabrikpackungsmenge: | 5000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 43 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 20 ns |
| Breite: | 5,15 mm |
| Teile-Aliase: | BSC030N08NS5 SP001077098 |
| Stückgewicht: | 0,017870 Unzen |
•Optimiert für Hochleistungs-SMPS, zBsync.rec.
•100 % lawinengetestet
• Überlegene Wärmebeständigkeit
• N-Kanal
•Qualifiziert gemäß JEDEC1) für Zielanwendungen
• Bleifreie Bleibeschichtung; RoHS-konform
•Halogenfrei gemäß IEC61249-2-21
