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AUIRFN8459TR MOSFET 40 V Dual-N-Kanal-HEXFET

AUIRFN8459TR MOSFET 40 V Dual N-Kanal HEXFET Ausgewähltes Bild
  • AUIRFN8459TR MOSFET 40 V Dual-N-Kanal-HEXFET

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies

Produktkategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Arrays

Datenblatt:AUIRFN8459TR

Beschreibung: MOSFET 2N-CH 40V 50A 8PQFN

RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

Anwendungen

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: MOSFET
RoHS: Details
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Verpackung / Koffer: PQFN-8
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 2-Kanal
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 40 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: 70 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 5,9 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: 3 V
Qg – Gate-Ladung: 40 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 °C
Pd - Verlustleistung: 50 W
Kanalmodus: Erweiterung
Qualifikation: AEC-Q101
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: Mausrolle
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Dual
Herbstzeit: 42 ns
Vorwärtssteilheit - Min: 66 S
Höhe: 1,2 mm
Länge: 6 mm
Produkttyp: MOSFET
Anstiegszeit: 55 ns
Fabrikpackungsmenge: 4000
Unterkategorie: MOSFETs
Transistortyp: 2 N-Kanal
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 25 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 10 ns
Breite: 5 mm
Teile-Aliase: AUIRFN8459TR SP001517406
Stückgewicht: 0,004308 Unzen

♠ MOSFET 40 V Dual N-Kanal HEXFET

Dieser speziell für Automobilanwendungen entwickelte HEXFET®-Leistungs-MOSFET nutzt modernste Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Durchlasswiderstand pro Siliziumfläche zu erreichen. Weitere Merkmale dieses Designs sind eine Sperrschicht-Betriebstemperatur von 175 °C, eine hohe Schaltgeschwindigkeit und eine verbesserte Lawinendurchbruchfestigkeit. Diese Eigenschaften machen dieses Produkt zu einem äußerst effizienten und zuverlässigen Bauelement für den Einsatz im Automobilbereich und in einer Vielzahl anderer Anwendungen.


  • Vorherige: AD5293BRUZ-20 Digitalpotentiometer-ICs 1024 Abgriffe, 1 % digiPOT mit SPI-Schnittstelle
  • Nächste: LCMXO2-2000HC-4BG256C FPGA – Field Programmable Gate Array 2112 LUTs 207 IO 3,3 V 4 Spd

  •  Fortschrittliche Prozesstechnologie

     Dualer N-Kanal-MOSFET

     Extrem niedriger Einschaltwiderstand

     175 °C Betriebstemperatur

     Schnelles Umschalten

     Wiederholte Lawinenabgänge bis Tjmax zulässig

     Bleifrei, RoHS-konform

     Qualifiziert für den Automobilbereich *

     12-V-Fahrzeugsysteme

     Bürsten-Gleichstrommotor

     Bremsen

     Übertragung

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