VNS3NV04DPTR-E Gate-Treiber OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | Gate-Treiber |
| RoHS: | Details |
| Produkt: | MOSFET-Gate-Treiber |
| Typ: | Low-Side |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung / Koffer: | SOIC-8 |
| Anzahl der Fahrer: | 2 Fahrer |
| Anzahl der Ausgänge: | 2 Ausgang |
| Ausgangsstrom: | 5 A |
| Versorgungsspannung - Max: | 24 V |
| Anstiegszeit: | 250 ns |
| Herbstzeit: | 250 ns |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 40 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
| Serie: | VNS3NV04DP-E |
| Qualifikation: | AEC-Q100 |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Feuchtigkeitsempfindlich: | Ja |
| Betriebsversorgungsstrom: | 100 uA |
| Produkttyp: | Gate-Treiber |
| Fabrikpackungsmenge: | 2500 |
| Unterkategorie: | PMIC – Energieverwaltungs-ICs |
| Technologie: | Si |
| Stückgewicht: | 0,005291 Unzen |
♠ OMNIFET II vollständig automatisch geschützter Power-MOSFET
Das VNS3NV04DP-E-Gerät besteht aus zwei monolithischen Chips (OMNIFET II) in einem Standard-SO-8-Gehäuse. Der OMNIFET II basiert auf der STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3-Technologie und ersetzt Standard-Leistungs-MOSFETs in DC-Anwendungen mit bis zu 50 kHz.
Integrierte thermische Abschaltung, lineare Strombegrenzung und Überspannungsklemme schützen den Chip in rauen Umgebungen.
Fehlerrückmeldungen können durch Überwachung der Spannung am Eingangspin erkannt werden
■ ECOPACK®: bleifrei und RoHS-konform
■ Automotive Grade: Konformität mit den AEC-Richtlinien
■ Lineare Strombegrenzung
■ Thermische Abschaltung
■ Kurzschlussschutz
■ Integrierte Klemme
■ Geringe Stromaufnahme vom Eingangspin
■ Diagnose-Feedback über Eingangspin
■ ESD-Schutz
■ Direkter Zugriff auf das Gate des Power-MOSFET (analoge Ansteuerung)
■ Kompatibel mit Standard-Power-MOSFET
