VNS3NV04DPTR-E Gate-Treiber OMNIFET II VIPower 35mOhm 12A 40V
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | Gate-Treiber |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Produkt: | MOSFET-Gate-Treiber |
| Typ: | Niedrige Seite |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | SOIC-8 |
| Anzahl der Fahrer: | 2 Treiber |
| Anzahl der Ausgänge: | 2 Ausgang |
| Ausgangsstrom: | 5A |
| Versorgungsspannung - max.: | 24 V |
| Anstiegszeit: | 250 ns |
| Abfallzeit: | 250 ns |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 40 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Serie: | VNS3NV04DP-E |
| Qualifikation: | AEC-Q100 |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Feuchtigkeitsempfindlich: | Ja |
| Betriebsversorgungsstrom: | 100 uA |
| Produktart: | Gate-Treiber |
| Werkspackungsmenge: | 2500 |
| Unterkategorie: | PMIC – Power-Management-ICs |
| Technologie: | Si |
| Gewichtseinheit: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II vollständig selbstgeschützter Leistungs-MOSFET
Das Bauteil VNS3NV04DP-E besteht aus zwei monolithischen Chips (OMNIFET II), die in einem standardmäßigen SO-8-Gehäuse untergebracht sind.Der OMNIFET II wurde unter Verwendung der STMicroelectronics™ VIPower™ M0-3-Technologie entwickelt und ist für den Ersatz von Standard-Leistungs-MOSFETs in DC-Anwendungen mit bis zu 50 kHz vorgesehen.
Eingebaute thermische Abschaltung, lineare Strombegrenzung und Überspannungsbegrenzung schützen den Chip in rauen Umgebungen.
Eine Fehlerrückmeldung kann durch Überwachen der Spannung am Eingangspin erkannt werden
■ ECOPACK®: bleifrei und RoHS-konform
■ Automotive Grade: Einhaltung der AEC-Richtlinien
■ Lineare Strombegrenzung
■ Thermische Abschaltung
■ Kurzschlussschutz
■ Integrierte Klemme
■ Niedrige Stromaufnahme vom Eingangspin
■ Diagnose-Feedback über Eingangspin
■ ESD-Schutz
■ Direkter Zugriff auf das Gate des Leistungs-MOSFET (analoges Treiben)
■ Kompatibel mit Standard-Leistungs-MOSFET
