VNS1NV04DPTR-E Gate-Treiber OMNIFET POWER MOSFET 40V 1,7 A
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | Gate-Treiber |
| Produkt: | MOSFET-Gate-Treiber |
| Typ: | Low-Side |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung / Koffer: | SOIC-8 |
| Anzahl der Fahrer: | 2 Fahrer |
| Anzahl der Ausgänge: | 2 Ausgang |
| Ausgangsstrom: | 1,7 A |
| Versorgungsspannung - Max: | 24 V |
| Anstiegszeit: | 500 ns |
| Herbstzeit: | 600 ns |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 40 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
| Serie: | VNS1NV04DP-E |
| Qualifikation: | AEC-Q100 |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Feuchtigkeitsempfindlich: | Ja |
| Betriebsversorgungsstrom: | 150 uA |
| Produkttyp: | Gate-Treiber |
| Fabrikpackungsmenge: | 2500 |
| Unterkategorie: | PMIC – Energieverwaltungs-ICs |
| Technologie: | Si |
| Stückgewicht: | 0,005291 Unzen |
♠ OMNIFET II vollständig automatisch geschützter Power-MOSFET
Der VNS1NV04DP-E besteht aus zwei monolithischen OMNIFET II-Chips in einem Standard-SO-8-Gehäuse. Die OMNIFET II basieren auf der VIPower™ M0-3-Technologie von STMicroelectronics und ersetzen Standard-Leistungs-MOSFETs von DC bis 50 kHz. Integrierte thermische Abschaltung, lineare Strombegrenzung und Überspannungsschutz schützen den Chip in rauen Umgebungen.
Eine Fehlerrückmeldung kann durch Überwachung der Spannung am Eingangspin erkannt werden.
• Lineare Strombegrenzung
• Thermische Abschaltung
• Kurzschlussschutz
• Integrierte Klemme
• Geringe Stromaufnahme vom Eingangspin
• Diagnose-Feedback über Eingangspin
• ESD-Schutz
• Direkter Zugriff auf das Gate des Power-MOSFET (analoge Ansteuerung)
• Kompatibel mit Standard-Leistungs-MOSFET
• In Übereinstimmung mit der europäischen Richtlinie 2002/95/EG
