VNS1NV04DPTR-E Gate-Treiber OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | Gate-Treiber |
| Produkt: | MOSFET-Gate-Treiber |
| Typ: | Niedrige Seite |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | SOIC-8 |
| Anzahl der Fahrer: | 2 Treiber |
| Anzahl der Ausgänge: | 2 Ausgang |
| Ausgangsstrom: | 1,7 A |
| Versorgungsspannung - max.: | 24 V |
| Anstiegszeit: | 500 ns |
| Abfallzeit: | 600 ns |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 40 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Serie: | VNS1NV04DP-E |
| Qualifikation: | AEC-Q100 |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Feuchtigkeitsempfindlich: | Ja |
| Betriebsversorgungsstrom: | 150 uA |
| Produktart: | Gate-Treiber |
| Werkspackungsmenge: | 2500 |
| Unterkategorie: | PMIC – Power-Management-ICs |
| Technologie: | Si |
| Gewichtseinheit: | 0,005291 oz |
♠ OMNIFET II vollständig selbstgeschützter Leistungs-MOSFET
Das VNS1NV04DP-E ist ein Gerät, das aus zwei monolithischen OMNIFET-II-Chips besteht, die in einem Standard-SO-8-Gehäuse untergebracht sind.Die OMNIFET II wurden in STMicroelectronics VIPower™ M0-3-Technologie entwickelt: Sie sind für den Ersatz von Standard-Leistungs-MOSFETs von DC- bis zu 50-kHz-Anwendungen vorgesehen.Eingebaute thermische Abschaltung, lineare Strombegrenzung und Überspannungsbegrenzung schützen den Chip in rauen Umgebungen.
Eine Fehlerrückmeldung kann durch Überwachung der Spannung am Eingangspin erkannt werden.
• Lineare Strombegrenzung
• Thermische Abschaltung
• Kurzschlussschutz
• Integrierte Klemme
• Niedrige Stromaufnahme vom Eingangspin
• Diagnoserückmeldung über Eingangspin
• ESD-Schutz
• Direkter Zugriff auf das Gate des Power-Mosfet (analoges Fahren)
• Kompatibel mit Standard-Power-Mosfet
• In Übereinstimmung mit der europäischen Richtlinie 2002/95/EG
