VNL5030JTR-E Gate-Treiber OMNIFET III-Treiber Low-Side-ESD VIPower
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaften | Attributwert |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Produktkategorie: | Gate-Treiber |
Serie: | VNL5030J-E |
Qualifikation: | AEC-Q100 |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband abschneiden |
Verpackung: | Mausrolle |
Marke: | STMicroelectronics |
Feuchtigkeitsempfindlich: | Ja |
Produkttyp: | Gate-Treiber |
Fabrikpackungsmenge: | 2500 |
Unterkategorie: | PMIC – Energieverwaltungs-ICs |
Technologie: | Si |
Stückgewicht: | 0,004004 Unzen |
♠ OMNIFET III vollständig geschützter Low-Side-Treiber
Die Bausteine VNL5030J-E und VNL5030S5-E sind monolithische Bausteine mit STMicroelectronics® VIPower®-Technologie und für den Betrieb ohmscher oder induktiver Lasten vorgesehen, wobei eine Seite an die Batterie angeschlossen ist. Die integrierte Thermoabschaltung schützt den Chip vor Übertemperatur und Kurzschluss. Die Ausgangsstrombegrenzung schützt die Bausteine bei Überlastung. Bei länger anhaltender Überlastung begrenzt der Baustein die Verlustleistung bis zur Thermoabschaltung auf ein sicheres Niveau. Die Thermoabschaltung mit automatischem Neustart ermöglicht die Wiederherstellung des Normalbetriebs, sobald der Fehler behoben ist. Beim Abschalten wird eine schnelle Entmagnetisierung induktiver Lasten erreicht.
• Qualifiziert für den Automobilbereich
• Drain-Strom: 25 A
• ESD-Schutz
• Überspannungsklemme
• Thermische Abschaltung
• Strom- und Leistungsbegrenzung
• Sehr niedriger Standby-Strom
• Sehr geringe elektromagnetische Störanfälligkeit
• Konform mit der europäischen Richtlinie 2002/95/EG
• Open-Drain-Statusausgang