VNB35N07TR-E Leistungsschalter-ICs – Leistungsverteilung OMNIFETII VOLLAUTOMATISCHER SCHUTZ Pwr MOSFET
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaften | Attributwert |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Produktkategorie: | Leistungsschalter-ICs – Stromverteilung |
Typ: | Niedrige Seite |
Anzahl der Ausgänge: | 1 Ausgang |
Strombegrenzung: | 35 A |
Ein Widerstand - Max: | 28 mOhm |
Pünktlich – Max: | 200 ns |
Ausschaltzeit - Max: | 1 uns |
Betriebsspannung: | 28 V |
Minimale Betriebstemperatur: | - 40 °C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
Montageart: | SMD/SMT |
Verpackung / Koffer: | D2PAK-3 |
Serie: | VNB35N07-E |
Qualifikation: | AEC-Q100 |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband abschneiden |
Verpackung: | Mausrolle |
Marke: | STMicroelectronics |
Feuchtigkeitsempfindlich: | Ja |
Pd - Verlustleistung: | 125000 mW |
Produkttyp: | Leistungsschalter-ICs – Stromverteilung |
Fabrikpackungsmenge: | 1000 |
Unterkategorie: | Schalt-ICs |
Stückgewicht: | 0,079014 Unzen |
♠ OMNIFET: vollständig automatisch geschützter Power-MOSFET
VNP35N07-E, VNB35N07-E und VNV35N07-E sind monolithische Geräte, die mit der VIPower®-Technologie von STMicroelectronics hergestellt werden und als Ersatz für Standard-Leistungs-MOSFETs in DC- bis 50-kHz-Anwendungen vorgesehen sind.
Integrierte thermische Abschaltung, lineare Strombegrenzung und Überspannungsklemme schützen den Chip in rauen Umgebungen.
Eine Fehlerrückmeldung kann durch Überwachung der Spannung am Eingangspin erkannt werden.
• Qualifiziert für den Automobilbereich
• Lineare Strombegrenzung
• Thermische Abschaltung
• Kurzschlussschutz
• Integrierte Klemme
• Geringe Stromaufnahme vom Eingangspin
• Diagnose-Feedback über Eingangspin
• ESD-Schutz
• Direkter Zugriff auf das Gate des Power-MOSFET (analoge Ansteuerung)
• Kompatibel mit Standard-Power-MOSFET
• Standard-TO-220-Gehäuse
• Konform mit der europäischen Richtlinie 2002/95/EG