USBLC6-2SC6 ESD-Unterdrücker/TVS-Dioden ESD-Schutz Low Cap
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaften | Attributwert |
Hersteller: | STMicroelectronics |
Produktkategorie: | ESD-Unterdrücker/TVS-Dioden |
RoHS: | Details |
Produkttyp: | ESD-Unterdrücker |
Polarität: | Unidirektional |
Betriebsspannung: | 5,25 V |
Anzahl der Kanäle: | 2-Kanal |
Anschlussart: | SMD/SMT |
Verpackung / Koffer: | SOT-23-6 |
Durchschlagspannung: | 6 V |
Klemmspannung: | 17 V |
Pppm – Spitzenimpuls-Leistungsverlustleistung: | - |
Vesd - Spannungs-ESD-Kontakt: | 15 kV |
Vesd - Spannungs-ESD-Luftspalt: | 15 kV |
Cd - Diodenkapazität: | 3,5 pF |
Ipp - Spitzenimpulsstrom: | 5 A |
Minimale Betriebstemperatur: | - 40 °C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 125 °C |
Serie: | USBLC6-2 |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband abschneiden |
Verpackung: | Mausrolle |
Marke: | STMicroelectronics |
Betriebsspannung: | 5 V |
Pd - Verlustleistung: | - |
Fabrikpackungsmenge: | 3000 |
Unterkategorie: | TVS-Dioden / ESD-Unterdrückungsdioden |
Vf – Durchlassspannung: | 1,1 V |
Stückgewicht: | 0,000600 Unzen |
♠ ESD-Schutz mit sehr geringer Kapazität
USBLC6-2SC6 und USBLC6-2P6 sind monolithische, anwendungsspezifische Geräte zum ESD-Schutz von Hochgeschwindigkeitsschnittstellen wie USB 2.0, Ethernet-Verbindungen und Videoleitungen.
Die sehr niedrige Leitungskapazität gewährleistet ein hohes Maß an Signalintegrität, ohne den Schutz empfindlicher Chips vor den strengsten ESD-Einwirkungen zu beeinträchtigen.
• 2 Datenleitungsschutz
• Schützt VBUS
• Sehr niedrige Kapazität: 3,5 pF max.
• Sehr niedriger Leckstrom: 150 nA max.
• SOT-666- und SOT23-6L-Pakete
• RoHS-konform
Vorteile
• Sehr geringe Kapazität zwischen den Leitungen zu GND für optimierte Datenintegrität und Geschwindigkeit
• Geringer Platzbedarf auf der Leiterplatte: max. 2,9 mm² für SOT-666 und max. 9 mm² für SOT23-6L • Verbesserter ESD-Schutz: Konformität mit IEC 61000-4-2 Level 4 auf Geräteebene garantiert, daher höhere Immunität auf Systemebene
• ESD-Schutz von VBUS
• Hohe Zuverlässigkeit durch monolithische Integration
• Geringer Leckstrom für längeren Betrieb batteriebetriebener Geräte
• Schnelle Reaktionszeit
• Konsistente D+ / D- Signalbalance:
– Sehr geringe Kapazitätsanpassungstoleranz I/O zu GND = 0,015 pF
– Entspricht den Anforderungen von USB 2.0
Entspricht den folgenden Normen:
• IEC 61000-4-2 Stufe 4:
– 15 kV (Luftentladung)
– 8 kV (Kontaktentladung)
• USB 2.0-Anschlüsse mit bis zu 480 Mb/s (Highspeed)
• Kompatibel mit USB 1.1 Low- und Full-Speed
• Ethernet-Anschluss: 10/100 Mbit/s
• SIM-Kartenschutz
• Videoleitungsschutz
• Tragbare Elektronik