SZMMBZ33VALT1G ESD-Entstörer/TVS-Dioden ZEN REG .225W 12V

Kurze Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor

Produktkategorie: TVS – Dioden

Datenblatt:SZMMBZ33VALT1G

Beschreibung: TVS DIODE 26V 46V SOT23-3

RoHS-Status: RoHS-konform


Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaft Attributwert
Hersteller: onsemi
Produktkategorie: ESD-Unterdrücker / TVS-Dioden
RoHS: Einzelheiten
Produktart: ESD-Entstörer
Polarität: Unidirektional
Betriebsspannung: 26 V
Anzahl der Kanäle: 2 Kanal
Abschlussart: SMD/SMT
Paket / Koffer: SOT-23-3
Die Spannung unterbrechen: 33 V
Klemmspannung: 46 V
Pppm - Spitzenimpulsverlustleistung: 40 W
Vesd - Spannung ESD-Kontakt: 30 kV
Ipp - Spitzenimpulsstrom: 870mA
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Serie: MMBZ33V
Qualifikation: AEC-Q100
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband schneiden
Verpackung: MausReel
Marke: onsemi
Werkspackungsmenge: 3000
Unterkategorie: TVS-Dioden / ESD-Unterdrückungsdioden
Vf - Durchlassspannung: 0,9 V
Gewichtseinheit: 0,000310 oz

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  • • Das SOT−23-Paket ermöglicht entweder zwei getrennte unidirektionale Konfigurationen oder eine einzelne bidirektionale Konfiguration

    • Standard-Zener-Durchbruchspannungsbereich – 5,6 V bis 47 V

    • Spitzenleistung – 24 oder 40 W bei 1,0 ms (unidirektional), gemäß Wellenform in Abbildung 6

    • ESD-Einstufung: − Klasse 3B (> 16 kV) nach dem Modell des menschlichen Körpers − Klasse C (> 400 V) nach dem Maschinenmodell

    • ESD-Einstufung nach IEC61000−4−2 Level 4, ±30 kV Kontaktentladung

    • Maximale Klemmspannung bei Spitzenimpulsstrom

    • Niedriger Leckstrom < 5,0 A

    • Entflammbarkeitsklasse UL 94 V−0

    • SZ-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die eindeutige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern;AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig

    • Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform

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