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SUM55P06-19L-E3 MOSFET 60V 55A 125W

SUM55P06-19L-E3 MOSFET 60 V 55 A 125 W Ausgewähltes Bild
  • SUM55P06-19L-E3 MOSFET 60V 55A 125W

Kurze Beschreibung:

Hersteller:Vishay

Produktkategorie: MOSFET

Datenblatt:SUM55P06-19L-E3

Beschreibung:MOSFET P-CH 60V 55A D2PAK

RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

MERKMALE

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: Vishay
Produktkategorie: MOSFET
RoHS: Details
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Verpackung / Koffer: TO-263-3
Transistorpolarität: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 60 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: 55 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 19 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: 1 V
Qg – Gate-Ladung: 76 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 °C
Pd - Verlustleistung: 125 W
Kanalmodus: Erweiterung
Handelsname: TrenchFET
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: Mausrolle
Marke: Vishay / Siliconix
Konfiguration: Einzel
Herbstzeit: 230 ns
Vorwärtssteilheit - Min: 20 S
Höhe: 4,83 mm
Länge: 10,67 mm
Produkttyp: MOSFET
Anstiegszeit: 15 ns
Serie: SUMME
Fabrikpackungsmenge: 800
Unterkategorie: MOSFETs
Transistortyp: 1 P-Kanal
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 80 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 12 ns
Breite: 9,65 mm
Stückgewicht: 0,139332 Unzen

  • Vorherige: STM32F407IET6 ARM-Mikrocontroller IC MCU ARM M4 512 FLASH
  • Nächste: 1SMB5916BT3G Zenerdioden 4,3 V 3 W

  • • TrenchFET®-Leistungs-MOSFET

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