SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100 V 37 A 136 W 43 mohm 10 V
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaften | Attributwert |
Hersteller: | Vishay |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Details |
Technologie: | Si |
Montageart: | SMD/SMT |
Verpackung / Koffer: | TO-252-3 |
Transistorpolarität: | P-Kanal |
Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 100 V |
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 37,1 A |
Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 43 mOhm |
Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 V, + 20 V |
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 1 V |
Qg – Gate-Ladung: | 106 nC |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 175 °C |
Pd - Verlustleistung: | 136 Watt |
Kanalmodus: | Erweiterung |
Handelsname: | TrenchFET |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband abschneiden |
Verpackung: | Mausrolle |
Marke: | Vishay Semiconductors |
Konfiguration: | Einzel |
Herbstzeit: | 100 ns |
Vorwärtssteilheit - Min: | 38 S |
Höhe: | 2,38 mm |
Länge: | 6,73 mm |
Produkttyp: | MOSFET |
Anstiegszeit: | 20 ns, 160 ns |
Serie: | SUD |
Fabrikpackungsmenge: | 2000 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Transistortyp: | 1 P-Kanal |
Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 100 ns, 110 ns |
Typische Einschaltverzögerungszeit: | 15 ns, 42 ns |
Breite: | 6,22 mm |
Teile-Aliase: | SUD50P10-43L-BE3 |
Stückgewicht: | 0,011640 Unzen |
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
• Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EG