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SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100 V 37 A 136 W 43 mohm 10 V

SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100 V 37 A 136 W 43 mOhm 10 V Ausgewähltes Bild
  • SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100 V 37 A 136 W 43 mohm 10 V

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Vishay / Siliconix

Produktkategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeln

Datenblatt:SUD50P10-43L-E3

Beschreibung: MOSFET P-CH 100V 37.1A TO252

RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: Vishay
Produktkategorie: MOSFET
RoHS: Details
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Verpackung / Koffer: TO-252-3
Transistorpolarität: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 100 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: 37,1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 43 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: 1 V
Qg – Gate-Ladung: 106 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 °C
Pd - Verlustleistung: 136 Watt
Kanalmodus: Erweiterung
Handelsname: TrenchFET
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: Mausrolle
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Einzel
Herbstzeit: 100 ns
Vorwärtssteilheit - Min: 38 S
Höhe: 2,38 mm
Länge: 6,73 mm
Produkttyp: MOSFET
Anstiegszeit: 20 ns, 160 ns
Serie: SUD
Fabrikpackungsmenge: 2000
Unterkategorie: MOSFETs
Transistortyp: 1 P-Kanal
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 100 ns, 110 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 15 ns, 42 ns
Breite: 6,22 mm
Teile-Aliase: SUD50P10-43L-BE3
Stückgewicht: 0,011640 Unzen

 


  • Vorherige: SUD19P06-60-GE3 MOSFET 60V 19A 38,5W 60mOhm bei 10V
  • Nächste: MUN5113DW1T1G Bipolartransistoren – Vorgespannter SS BR XSTR PNP 50 V

  • • TrenchFET®-Leistungs-MOSFET

    • Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EG

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