SUD19P06-60-GE3 MOSFET 60 V 19 A 38,5 W 60 mOhm bei 10 V
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | TO-252-3 |
| Transistorpolarität: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 60 V |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 50 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 60 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 Volt, + 20 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 3 V |
| Qg - Gate-Ladung: | 40 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Verlustleistung: | 113 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | TrenchFET |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Aufbau: | Einzel |
| Abfallzeit: | 30 ns |
| Vorwärtstranskonduktanz - Min.: | 22 S |
| Produktart: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 9 ns |
| Serie: | SÜD |
| Werkspackungsmenge: | 2000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 P-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 65 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 8 ns |
| Teil # Aliase: | SUD19P06-60-BE3 |
| Gewichtseinheit: | 0,011640 oz |
• Halogenfrei Gemäß IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
• 100 % UIS-geprüft
• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
• High-Side-Schalter für Vollbrückenwandler
• DC/DC-Wandler für LCD-Display
