STD35P6LLF6 MOSFET P-Kanal 60V 0,025Ohm typ. 35A STripFET F6 Leistungs-MOSFET
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | STMicroelectronics |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | TO-252-3 |
| Transistorpolarität: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 60 V |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 35 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 28 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 Volt, + 20 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 1 V |
| Qg - Gate-Ladung: | 30 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 175 C |
| Pd - Verlustleistung: | 70 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | STripFET |
| Serie: | STD35P6LLF6 |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | STMicroelectronics |
| Aufbau: | Einzel |
| Abfallzeit: | 21 ns |
| Produktart: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 39 ns |
| Werkspackungsmenge: | 2500 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 P-Kanal-Leistungs-MOSFET |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 171 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 51,4 ns |
| Gewichtseinheit: | 0,011640 oz |
♠ STD35P6LLF6 P-Kanal 60 V, 0,025 Ω typ., 35 A STripFET™ F6 Leistungs-MOSFET in einem DPAK-Gehäuse
Dieses Bauteil ist ein P-Kanal-Leistungs-MOSFET, der unter Verwendung der STripFET™ F6-Technologie mit einer neuen Trench-Gate-Struktur entwickelt wurde.Der resultierende Leistungs-MOSFET weist in allen Gehäusen einen sehr niedrigen RDS(on) auf.
Sehr niedriger On-Widerstand
Sehr niedrige Gate-Ladung
Hohe Lawinenfestigkeit
Niedriger Leistungsverlust der Gate-Ansteuerung
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