SQJ951EP-T1_GE3 MOSFET Dual P-Kanal 30 V AEC-Q101-qualifiziert
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung / Koffer: | PowerPAK-SO-8-4 |
| Transistorpolarität: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 2-Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 30 V |
| Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 30 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 14 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 2,5 V |
| Qg – Gate-Ladung: | 50 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 175 °C |
| Pd - Verlustleistung: | 56 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Qualifikation: | AEC-Q101 |
| Handelsname: | TrenchFET |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Konfiguration: | Dual |
| Herbstzeit: | 28 ns |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Anstiegszeit: | 12 ns |
| Serie: | SQ |
| Fabrikpackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 2 P-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 39 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 12 ns |
| Teile-Aliase: | SQJ951EP-T1_BE3 |
| Stückgewicht: | 0,017870 Unzen |
• Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
• AEC-Q101-qualifiziert
• 100 % Rg- und UIS-getestet
• Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
