SIC621CD-T1-GE3 Gate-Treiber 60 A VRPwr 2 MHz PS4-Modus 5 V PWM
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | Gate-Treiber |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Produkt: | MOSFET-Gate-Treiber |
| Typ: | High-Side, Low-Side |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket / Koffer: | MLP55-31 |
| Anzahl der Fahrer: | 1 Fahrer |
| Anzahl der Ausgänge: | 1 Ausgang |
| Ausgangsstrom: | 60 A |
| Versorgungsspannung - Min.: | 4,5 V |
| Versorgungsspannung - max.: | 18 V |
| Aufbau: | Nicht invertiert |
| Anstiegszeit: | 35 ns |
| Abfallzeit: | 10 ns |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Serie: | SIC621 |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Pd - Verlustleistung: | 1,6 W |
| Produktart: | Gate-Treiber |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 110 mOhm |
| Werkspackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | PMIC – Power-Management-ICs |
| Technologie: | Si |
| Handelsname: | DrMOS VRPower |
| Gewichtseinheit: | 0,000423 oz |
♠ 60 A VRPower® Integrierte Leistungsstufe
Der SiC621 ist eine integrierte Leistungsstufenlösung, die für synchrone Buck-Anwendungen optimiert ist, um einen hohen Strom, einen hohen Wirkungsgrad und eine Leistung mit hoher Leistungsdichte zu bieten.Verpackt in Vishays proprietärem 5 mm x 5 mm MLP-Gehäuse ermöglicht SiC621 Spannungsreglerdesigns, bis zu 60 A Dauerstrom pro Phase zu liefern.
Die internen Leistungs-MOSFETs nutzen die hochmoderne Gen IV TrenchFET-Technologie von Vishay, die branchenführende Leistung liefert, um Schalt- und Leitungsverluste erheblich zu reduzieren.
Der SiC621 enthält einen fortschrittlichen MOSFET-Gate-Treiber-IC mit hoher Stromtreiberfähigkeit, adaptiver Totzeitsteuerung, einer integrierten Bootstrap-Schottky-Diode und Nullstromerkennung zur Verbesserung der Effizienz bei geringer Last.Der Treiber ist auch mit einer Vielzahl von PWM-Controllern kompatibel, unterstützt Tri-State-PWM und 5-V-PWM-Logik.
Eine vom Benutzer wählbare Diodenemulationsmodusfunktion (ZCD_EN#) ist enthalten, um die Leistung bei geringer Last zu verbessern. Das Gerät unterstützt auch den PS4-Modus, um den Stromverbrauch zu reduzieren, wenn das System im Standby-Modus arbeitet.
• Thermisch verbessertes PowerPAK® MLP55-31L-Gehäuse
• Gen IV MOSFET-Technologie von Vishay und ein Low-Side-MOSFET mit integrierter Schottky-Diode
• Liefert bis zu 60 A Dauerstrom
• Hohe Effizienzleistung
• Hochfrequenzbetrieb bis 2 MHz
• Leistungs-MOSFETs optimiert für 12-V-Eingangsstufe
• 5-V-PWM-Logik mit Tristate und Hold-off
• Unterstützt PS4-Modus-Leichtlastanforderung für IMVP8 mit niedrigem Abschaltstrom (5 V, 5 μA)
• Unterspannungssperre für VCIN
• Mehrphasen-VRDs für Computer, Grafikkarte und Speicher
• Bereitstellung von Intel IMVP-8 VRPower – VCORE, VGRAPHICS, VSYSTEM AGENT Skylake, Kabylake-Plattformen – VCCGI für Apollo Lake-Plattformen
• DC/DC-VR-Module mit bis zu 18 V Schieneneingang
