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SIC621CD-T1-GE3 Gate-Treiber 60 A VRPwr 2 MHz PS4-Modus 5 V PWM

SIC621CD-T1-GE3 Gate-Treiber 60 A VRPwr 2 MHz PS4-Modus 5 V PWM Ausgewähltes Bild
  • SIC621CD-T1-GE3 Gate-Treiber 60 A VRPwr 2 MHz PS4-Modus 5 V PWM

Kurze Beschreibung:

Hersteller:Vishay

Produktkategorie: Gate-Treiber

Datenblatt:SIC621CD-T1-GE3

Beschreibung:IC REG BUCK ADJUSTABLE 2A 8WSON

RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

ANWENDUNGEN

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: Vishay
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS: Details
Produkt: MOSFET-Gate-Treiber
Typ: High-Side, Low-Side
Montageart: SMD/SMT
Verpackung / Koffer: MLP55-31
Anzahl der Fahrer: 1 Fahrer
Anzahl der Ausgänge: 1 Ausgang
Ausgangsstrom: 60 A
Versorgungsspannung - Min: 4,5 V
Versorgungsspannung - Max: 18 V
Konfiguration: Nicht invertierend
Anstiegszeit: 35 ns
Herbstzeit: 10 ns
Minimale Betriebstemperatur: - 55 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 °C
Serie: SIC621
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: Mausrolle
Marke: Vishay Semiconductors
Pd - Verlustleistung: 1,6 W
Produkttyp: Gate-Treiber
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 110 mOhm
Fabrikpackungsmenge: 3000
Unterkategorie: PMIC – Energieverwaltungs-ICs
Technologie: Si
Handelsname: DrMOS VRPower
Stückgewicht: 0,000423 Unzen

♠ 60 A VRPower® Integrierte Leistungsstufe

Der SiC621 ist eine integrierte Leistungsstufenlösung, die für synchrone Abwärtswandler-Anwendungen optimiert ist und hohe Ströme, hohe Effizienz und hohe Leistungsdichte bietet. Im proprietären 5 mm x 5 mm großen MLP-Gehäuse von Vishay ermöglicht der SiC621 Spannungsreglerdesigns mit einer Dauerstromstärke von bis zu 60 A pro Phase.

Die internen Leistungs-MOSFETs nutzen die hochmoderne Gen IV TrenchFET-Technologie von Vishay, die eine branchenweit führende Leistung liefert und Schalt- und Leitungsverluste deutlich reduziert.

Der SiC621 verfügt über einen fortschrittlichen MOSFET-Gate-Treiber-IC mit Hochstromfähigkeit, adaptiver Totzeitregelung, integrierter Bootstrap-Schottky-Diode und Nullstromerkennung zur Verbesserung der Effizienz bei geringer Last. Der Treiber ist außerdem mit einer Vielzahl von PWM-Controllern kompatibel und unterstützt Tri-State-PWM sowie 5-V-PWM-Logik.

Zur Verbesserung der Leistung bei geringer Last ist eine vom Benutzer wählbare Diodenemulationsmodusfunktion (ZCD_EN#) enthalten. Das Gerät unterstützt außerdem den PS4-Modus, um den Stromverbrauch zu senken, wenn das System im Standby-Zustand betrieben wird.


  • Vorherige: DS1340U-33T&R Echtzeituhr-IC RTC mit Erhaltungsladegerät
  • Nächste: FDN335N MOSFET SSOT-3 N-CH 20V

  • • Thermisch verbessertes PowerPAK® MLP55-31L-Paket

    • Vishays Gen IV MOSFET-Technologie und ein Low-Side-MOSFET mit integrierter Schottky-Diode

    • Liefert bis zu 60 A Dauerstrom

    • Hohe Effizienz

    • Hochfrequenzbetrieb bis zu 2 MHz

    • Leistungs-MOSFETs optimiert für 12 V Eingangsstufe

    • 5 V PWM-Logik mit Tri-State und Hold-Off

    • Unterstützt den PS4-Modus mit geringer Lastanforderung für IMVP8 mit niedrigem Abschaltversorgungsstrom (5 V, 5 μA)

    • Unterspannungssperre für VCIN

    • Mehrphasige VRDs für Computer, Grafikkarte und Speicher

    • Intel IMVP-8 VRPower-Bereitstellung – VCORE, VGRAPHICS, VSYSTEM AGENT Skylake, Kabylake-Plattformen – VCCGI für Apollo Lake-Plattformen

    • Bis zu 18 V Schieneneingang DC/DC VR-Module

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