SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30 V Vds 20 V Vgs TSOP-6
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung / Koffer: | TSOP-6 |
| Transistorpolarität: | P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 30 V |
| Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 8 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 36 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 3 V |
| Qg – Gate-Ladung: | 50 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
| Pd - Verlustleistung: | 4,2 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | TrenchFET |
| Serie: | SI3 |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Konfiguration: | Einzel |
| Höhe: | 1,1 mm |
| Länge: | 3,05 mm |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Fabrikpackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Breite: | 1,65 mm |
| Stückgewicht: | 0,000705 Unzen |
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
• 100 % Rg- und UIS-getestet
• Materialkategorisierung:
Definitionen zur Konformität finden Sie im Datenblatt.
• Lastschalter
• Adapterschalter
• DC/DC-Wandler
• Für Mobile Computing/Consumera
