SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30 V Vds 20 V Vgs TSOP-6
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaft | Attributwert |
Hersteller: | Vishay |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Einzelheiten |
Technologie: | Si |
Montageart: | SMD/SMT |
Paket / Koffer: | TSOP-6 |
Transistorpolarität: | P-Kanal |
Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 30 V |
ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 8 A |
Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 36 mOhm |
Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 Volt, + 20 Volt |
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 3 V |
Qg - Gate-Ladung: | 50 nC |
Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
Pd - Verlustleistung: | 4,2 W |
Kanalmodus: | Erweiterung |
Handelsname: | TrenchFET |
Serie: | SI3 |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband schneiden |
Verpackung: | MausReel |
Marke: | Vishay Semiconductors |
Aufbau: | Einzel |
Höhe: | 1,1mm |
Länge: | 3,05mm |
Produktart: | MOSFET |
Werkspackungsmenge: | 3000 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Breite: | 1,65mm |
Gewichtseinheit: | 0,000705 oz |
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFET
• 100 % Rg und UIS getestet
• Materialkategorisierung:
Definitionen der Konformität finden Sie im Datenblatt.
• Lastschalter
• Adapterschalter
• DC / DC-Wandler
• Für Mobile Computing/Consumera