SI3417DV-T1-GE3 MOSFET 30 V Vds 20 V Vgs TSOP-6

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Vishay / Siliconix
Produktkategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Single
Datenblatt:SI3417DV-T1-GE3
Beschreibung: MOSFET P-CH 30V 8A TSOP-6
RoHS-Status: RoHS-konform


Produktdetail

Merkmale

Anwendungen

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaft Attributwert
Hersteller: Vishay
Produktkategorie: MOSFET
RoHS: Einzelheiten
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Paket / Koffer: TSOP-6
Transistorpolarität: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 30 V
ID - Kontinuierlicher Drainstrom: 8 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 36 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 Volt, + 20 Volt
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 3 V
Qg - Gate-Ladung: 50 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 C
Pd - Verlustleistung: 4,2 W
Kanalmodus: Erweiterung
Handelsname: TrenchFET
Serie: SI3
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband schneiden
Verpackung: MausReel
Marke: Vishay Semiconductors
Aufbau: Einzel
Höhe: 1,1mm
Länge: 3,05mm
Produktart: MOSFET
Werkspackungsmenge: 3000
Unterkategorie: MOSFETs
Breite: 1,65mm
Gewichtseinheit: 0,000705 oz

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  • • TrenchFET®-Leistungs-MOSFET

    • 100 % Rg und UIS getestet

    • Materialkategorisierung:
    Definitionen der Konformität finden Sie im Datenblatt.

    • Lastschalter

    • Adapterschalter

    • DC / DC-Wandler

    • Für Mobile Computing/Consumera

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