SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60 V Vds 20 V Vgs SC89-6 N&P-PAAR
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung/Koffer: | SC-89-6 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal, P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 2-Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 60 V |
| Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 500 mA |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 1,4 Ohm, 4 Ohm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 1 V |
| Qg – Gate-Ladung: | 750 pC, 1,7 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
| Pd - Verlustleistung: | 280 mW |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | TrenchFET |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Konfiguration: | Dual |
| Vorwärtssteilheit - Min: | 200 ms, 100 ms |
| Höhe: | 0,6 mm |
| Länge: | 1,66 mm |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Serie: | SI1 |
| Fabrikpackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal, 1 P-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 20 ns, 35 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 15 ns, 20 ns |
| Breite: | 1,2 mm |
| Teile-Aliase: | SI1029X-GE3 |
| Stückgewicht: | 32 mg |
• Halogenfrei gemäß IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs
• Sehr kleiner Platzbedarf
• High-Side-Schaltung
• Niedriger Einschaltwiderstand:
N-Kanal, 1,40 Ω
P-Kanal, 4 Ω
• Unterer Schwellenwert: ± 2 V (typ.)
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit: 15 ns (typ.)
• Gate-Source-ESD-geschützt: 2000 V
• Konform zur RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
• Digitaltransistor, Pegelwandler ersetzen
• Batteriebetriebene Systeme
• Stromversorgungs-Konverterschaltungen
