SI1029X-T1-GE3 MOSFET 60 V Vds 20 V Vgs SC89-6 N&P PAAR
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | Vishay |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Einzelheiten |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Paket/Fall: | SC-89-6 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal, P-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 2 Kanal |
| Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: | 60 V |
| ID - Kontinuierlicher Drainstrom: | 500mA |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 1,4 Ohm, 4 Ohm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 Volt, + 20 Volt |
| Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: | 1 V |
| Qg - Gate-Ladung: | 750 pC, 1,7 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 C |
| Pd - Verlustleistung: | 280mW |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Handelsname: | TrenchFET |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband schneiden |
| Verpackung: | MausReel |
| Marke: | Vishay Semiconductors |
| Aufbau: | Dual |
| Vorwärtstranskonduktanz - Min.: | 200 ms, 100 ms |
| Höhe: | 0,6mm |
| Länge: | 1,66mm |
| Produktart: | MOSFET |
| Serie: | SI1 |
| Werkspackungsmenge: | 3000 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Transistortyp: | 1 N-Kanal, 1 P-Kanal |
| Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 20 ns, 35 ns |
| Typische Einschaltverzögerungszeit: | 15 ns, 20 ns |
| Breite: | 1,2mm |
| Teil # Aliase: | SI1029X-GE3 |
| Gewichtseinheit: | 32mg |
• Halogenfrei Gemäß IEC 61249-2-21 Definition
• TrenchFET®-Leistungs-MOSFETs
• Sehr kleiner Fußabdruck
• High-Side-Schaltung
• Niedriger On-Widerstand:
N-Kanal, 1,40 Ω
P-Kanal, 4 Ω
• Niedriger Schwellenwert: ± 2 V (typ.)
• Schnelle Schaltgeschwindigkeit: 15 ns (typ.)
• Gate-Source ESD-geschützt: 2000 V
• Entspricht der RoHS-Richtlinie 2002/95/EG
• Digitaltransistor, Level-Shifter ersetzen
• Batteriebetriebene Systeme
• Stromrichterschaltungen
