NVH820S75L4SPB IGBT-Module 750 V, 820 A SSD
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | IGBT-Module |
| Produkt: | IGBT-Siliziummodule |
| Konfiguration: | 6er-Pack |
| Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: | 750 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: | 1,3 V |
| Dauerkollektorstrom bei 25 °C: | 600 A |
| Gate-Emitter-Leckstrom: | 500 uA |
| Pd - Verlustleistung: | 1000 W |
| Verpackung / Koffer: | 183AB |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 40 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 175 °C |
| Verpackung: | Tablett |
| Marke: | onsemi |
| Maximale Gate-Emitter-Spannung: | 20 V |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Produkttyp: | IGBT-Module |
| Fabrikpackungsmenge: | 4 |
| Unterkategorie: | IGBTs |
| Technologie: | Si |
| Handelsname: | VE-Trac |
| Stückgewicht: | 2,843 Pfund |
♠ Automotive 750 V, 820 A einseitige Direktkühlung 6er-Pack Leistungsmodul VE-Trac Direktmodul NVH820S75L4SPB
Das NVH820S75L4SPB ist ein Leistungsmodul aus der VE-Trac Direct-Familie hochintegrierter Leistungsmodule mit Industriestandard-Footprints für Traktionswechselrichteranwendungen in Hybrid- (HEV) und Elektrofahrzeugen (EV).
Das Modul integriert sechs Field Stop 4 (FS4) 750 V Narrow Mesa IGBTs in einer 6er-Pack-Konfiguration. Diese zeichnen sich durch hohe Stromdichte, robusten Kurzschlussschutz und erhöhte Sperrspannung aus. Darüber hinaus weisen die FS4 750 V Narrow Mesa IGBTs geringe Leistungsverluste bei geringerer Belastung auf, was zur Verbesserung der Gesamtsystemeffizienz in Automobilanwendungen beiträgt.
Für eine einfache und zuverlässige Montage sind in die Signalanschlüsse des Leistungsmoduls Einpressstifte der neuen Generation integriert. Darüber hinaus verfügt das Leistungsmodul über einen optimierten Pin-Fin-Kühlkörper in der Grundplatte.
• Direkte Kühlung mit integriertem Pin-Fin-Kühlkörper
• Extrem niedrige Streuinduktivität
• Tvjmax = 175°C Dauerbetrieb
• Geringe VCESAT- und Schaltverluste
• Automotive Grade FS4 750 V Narrow Mesa IGBT
• Schnelle Wiederherstellungsdiodenchip-Technologien
• 4,2 kV isoliertes DBC-Substrat
• Einfach zu integrierende 6-Pack-Topologie
• Dieses Gerät ist bleifrei und RoHS-konform
• Traktionswechselrichter für Hybrid- und Elektrofahrzeuge
• Hochleistungskonverter
