NVH820S75L4SPB IGBT-Module 750 V, 820 A SSD
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaft | Attributwert |
| Hersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | IGBT-Module |
| Produkt: | IGBT-Siliziummodule |
| Aufbau: | 6 Pack |
| Kollektor- Emitterspannung VCEO Max: | 750 V |
| Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: | 1,3 V |
| Kollektordauerstrom bei 25 C: | 600 A |
| Gate-Emitter-Leckstrom: | 500 uA |
| Pd - Verlustleistung: | 1000 W |
| Paket / Koffer: | 183AB |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 40 C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 175 C |
| Verpackung: | Tablett |
| Marke: | onsemi |
| Maximale Gate-Emitter-Spannung: | 20 V |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Produktart: | IGBT-Module |
| Werkspackungsmenge: | 4 |
| Unterkategorie: | IGBTs |
| Technologie: | Si |
| Handelsname: | VE-Trak |
| Gewichtseinheit: | 2,843 Pfund |
♠ Automotive 750 V, 820 A Einseitige Direktkühlung 6er-Pack Leistungsmodul VE-Trac Direktmodul NVH820S75L4SPB
Das NVH820S75L4SPB ist ein Leistungsmodul aus der VE-Trac Direct-Familie von hochintegrierten Leistungsmodulen mit Industriestandard-Footprints für Traktionsumrichteranwendungen in Hybrid- (HEV) und Elektrofahrzeugen (EV).
Das Modul integriert sechs Field Stop 4 (FS4) 750 V Narrow Mesa IGBTs in einer 6er-Pack-Konfiguration, die sich durch die Bereitstellung einer hohen Stromdichte auszeichnet und gleichzeitig einen robusten Kurzschlussschutz und eine erhöhte Sperrspannung bietet.Darüber hinaus zeigen FS4 750 V Narrow Mesa IGBTs geringe Leistungsverluste bei geringeren Lasten, was dazu beiträgt, die Gesamtsystemeffizienz in Automobilanwendungen zu verbessern.
Für eine einfache und zuverlässige Montage ist eine neue Generation von Einpressstiften in die Signalklemmen des Leistungsmoduls integriert.Zusätzlich verfügt das Leistungsmodul über einen optimierten Pin-Fin-Kühlkörper in der Bodenplatte.
• Direktkühlung mit integriertem Pin-Fin-Kühlkörper
• Extrem niedrige Streuinduktivität
• Tvjmax = 175°C Dauerbetrieb
• Niedrige VCESAT- und Schaltverluste
• FS4 750-V-Narrow-Mesa-IGBT in Automobilqualität
• Diodenchip-Technologien mit schneller Wiederherstellung
• 4,2 kV isoliertes DBC-Substrat
• Einfach zu integrierende 6−Pack Topologie
• Dieses Gerät ist bleifrei und RoHS-konform
• Antriebswechselrichter für Hybrid- und Elektrofahrzeuge
• Hochleistungswandler
