NTTFS4C10NTAG MOSFET NFET U8FL 30V 44A 7,4MOHM
♠ Produktbeschreibung
| Produkteigenschaften | Attributwert |
| Hersteller: | onsemi |
| Produktkategorie: | MOSFET |
| RoHS: | Details |
| Technologie: | Si |
| Montageart: | SMD/SMT |
| Verpackung/Koffer: | WDFN-8 |
| Transistorpolarität: | N-Kanal |
| Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
| Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 30 V |
| Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 44 A |
| Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 7,4 mOhm |
| Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 1,3 V |
| Qg – Gate-Ladung: | 18,6 nC |
| Minimale Betriebstemperatur: | - 55 °C |
| Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
| Pd - Verlustleistung: | 3,9 W |
| Kanalmodus: | Erweiterung |
| Verpackung: | Spule |
| Verpackung: | Klebeband abschneiden |
| Verpackung: | Mausrolle |
| Marke: | onsemi |
| Konfiguration: | Einzel |
| Produkttyp: | MOSFET |
| Serie: | NTTFS4C10N |
| Fabrikpackungsmenge: | 1500 |
| Unterkategorie: | MOSFETs |
| Stückgewicht: | 29,570 mg |
♠ NTTFS4C10N MOSFET – Leistung, Einzeln, N-Kanal, 8FL 30 V, 44 A
• Niedriger RDS(on) zur Minimierung von Leitungsverlusten
• Geringe Kapazität zur Minimierung der Treiberverluste
• Optimierte Gate-Ladung zur Minimierung von Schaltverlusten
• Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform
• DC−DC-Wandler
• Netzlastschalter
• Notebook-Batteriemanagement
