SAMSUNG plant, seine Chip-Fertigungskapazität bis 2027 zu verdreifachen

Jeong Ki-tae, Vizepräsident für Technologieentwicklung der Gießerei-Geschäftseinheit des Unternehmens, sagte, Samsung Electronics habe dieses Jahr weltweit erstmals einen 3-Nanometer-Chip auf Basis der GAA-Technologie erfolgreich in Massenproduktion hergestellt, der im Vergleich zu einem 5-Nanometer-Chip einen um 45 Prozent geringeren Stromverbrauch, eine um 23 Prozent höhere Leistung und eine um 16 Prozent geringere Fläche aufweise.

Samsung Electronics plant außerdem, keine Mühen zu scheuen, um die Produktionskapazität seiner Chip-Fertigung zu erweitern. Ziel ist es, die Produktionskapazität bis 2027 mehr als zu verdreifachen. Zu diesem Zweck verfolgt der Chiphersteller eine „Shell-First“-Strategie. Dabei wird zunächst ein Reinraum gebaut und die Anlage dann je nach Marktnachfrage flexibel betrieben.

Choi Si-young, Präsident der Gießerei-Geschäftseinheit von Samsung Electronics, sagte: „Wir betreiben fünf Fabriken in Korea und den Vereinigten Staaten und haben uns Grundstücke für den Bau von mehr als zehn Fabriken gesichert.“

Wie IT House erfahren hat, plant Samsung Electronics, im Jahr 2023 seinen 3-Nanometer-Prozess der zweiten Generation auf den Markt zu bringen, 2025 mit der Massenproduktion von 2-Nanometer-Prozessen zu beginnen und 2027 einen 1,4-Nanometer-Prozess auf den Markt zu bringen. Dieser Technologie-Fahrplan wurde von Samsung erstmals am 3. Oktober (Ortszeit) in San Francisco bekannt gegeben.