NCV8402ASTT1G MOSFET 42 V 2,0 A
♠ Produktbeschreibung
Produkteigenschaften | Attributwert |
Hersteller: | onsemi |
Produktkategorie: | MOSFET |
RoHS: | Details |
Technologie: | Si |
Montageart: | SMD/SMT |
Verpackung / Koffer: | SOT-223-3 |
Transistorpolarität: | N-Kanal |
Anzahl der Kanäle: | 1 Kanal |
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: | 42 V |
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: | 2 A |
Rds On - Drain-Source-Widerstand: | 200 mOhm |
Vgs - Gate-Source-Spannung: | - 14 V, + 14 V |
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: | 1,3 V |
Qg – Gate-Ladung: | - |
Minimale Betriebstemperatur: | - 40 °C |
Maximale Betriebstemperatur: | + 150 °C |
Pd - Verlustleistung: | 1,7 W |
Kanalmodus: | Erweiterung |
Qualifikation: | AEC-Q101 |
Verpackung: | Spule |
Verpackung: | Klebeband abschneiden |
Verpackung: | Mausrolle |
Marke: | onsemi |
Konfiguration: | Einzel |
Herbstzeit: | 50 uns |
Produkttyp: | MOSFET |
Anstiegszeit: | 120 uns |
Serie: | NCV8402A |
Fabrikpackungsmenge: | 1000 |
Unterkategorie: | MOSFETs |
Transistortyp: | 2 N-Kanal |
Typische Ausschaltverzögerungszeit: | 20 uns |
Typische Einschaltverzögerungszeit: | 25 uns |
Stückgewicht: | 0,008818 Unzen |
♠ Selbstgeschützter Low-Side-Treiber mit Temperatur- und Strombegrenzung NCV8402, NCV8402A
NCV8402/A ist ein dreipolig geschütztes Low-Side-Smart-Discrete-Gerät. Die Schutzfunktionen umfassen Überstrom-, Übertemperatur- und ESD-Schutz sowie eine integrierte Drain-to-Gate-Klemmung zum Überspannungsschutz. Dieses Gerät bietet Schutz und ist für raue Automobilumgebungen geeignet.
• Kurzschlussschutz
• Thermische Abschaltung mit automatischem Neustart
• Überspannungsschutz
• Integrierte Klemme für induktives Schalten
• ESD-Schutz
• NCV8402AMNWT1G − Benetzbares Flankenprodukt
• dV/dt-Robustheit
• Analoge Antriebsfähigkeit (Logikpegeleingang)
• NCV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
• Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform
• Schalten einer Vielzahl von ohmschen, induktiven und kapazitiven Lasten
• Kann elektromechanische Relais und diskrete Schaltkreise ersetzen
• Automobil/Industrie