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MUN5113DW1T1G Bipolartransistoren – Vorgespannter SS BR XSTR PNP 50 V

MUN5113DW1T1G Bipolartransistoren – Vorgespannt SS BR XSTR PNP 50 V Ausgewähltes Bild
  • MUN5113DW1T1G Bipolartransistoren – Vorgespannter SS BR XSTR PNP 50 V

Kurze Beschreibung:

Hersteller: onsemi

Produktkategorie: Transistoren – Bipolar (BJT) – Arrays, vorgespannt

Datenblatt: MUN5113DW1T1G

Beschreibung: TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363

RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: onsemi
Produktkategorie: Bipolartransistoren – vorgespannt
RoHS: Details
Konfiguration: Dual
Transistorpolarität: PNP
Typischer Eingangswiderstand: 47 kOhm
Typisches Widerstandsverhältnis: 1
Montageart: SMD/SMT
Verpackung / Koffer: SOT-363 (PB-frei)-6
DC-Kollektor/Basisverstärkung hfe Min: 80
Kollektor-Emitter-Spannung VCEO Max: 50 V
Dauerkollektorstrom: 100 mA
Spitzen-DC-Kollektorstrom: 100 mA
Pd - Verlustleistung: 256 mW
Minimale Betriebstemperatur: - 55 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 °C
Serie: MUN5113DW1
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: Mausrolle
Marke: onsemi
DC-Stromverstärkung hFE Max: 80
Höhe: 0,9 mm
Länge: 2 mm
Produkttyp: BJTs – Bipolartransistoren – vorgespannt
Fabrikpackungsmenge: 3000
Unterkategorie: Transistoren
Breite: 1,25 mm
Stückgewicht: 0,000212 Unzen

♠ Duale PNP-Vorspannungswiderstandstransistoren R1 = 47 k, R2 = 47 k PNP-Transistoren mit monolithischem Vorspannungswiderstandsnetzwerk

Diese Serie digitaler Transistoren ersetzt ein einzelnes Gerät und dessen externes Widerstands-Vorspannungsnetzwerk. Der Bias Resistor Transistor (BRT) enthält einen einzelnen Transistor mit einem monolithischen Vorspannungsnetzwerk aus zwei Widerständen: einem seriellen Basiswiderstand und einem Basis-Emitter-Widerstand. Der BRT eliminiert diese Einzelkomponenten durch die Integration in ein einziges Gerät. Der Einsatz eines BRT reduziert sowohl die Systemkosten als auch den Platzbedarf auf der Platine.


  • Vorherige: SUD50P10-43L-E3 MOSFET 100 V 37 A 136 W 43 mohm 10 V
  • Nächste: SSM2166SZ-REEL Mikrofon-Vorverstärker MIKROFON-VORVERSTÄRKER MIT VAR-KOMPRESSION

  • • Vereinfacht das Schaltungsdesign

    • Reduziert den Platz auf der Platine

    • Reduziert die Anzahl der Komponenten

    • S- und NSV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig*

    • Diese Geräte sind bleifrei, halogenfrei/BFR-frei und RoHS-konform

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