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MGSF1N03LT1G MOSFET 30V 2,1A N-Kanal

MGSF1N03LT1G MOSFET 30 V 2,1 A N-Kanal Ausgewähltes Bild
  • MGSF1N03LT1G MOSFET 30V 2,1A N-Kanal

Kurze Beschreibung:

Hersteller: ON Semiconductor
Produktkategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeln
Datenblatt:MGSF1N03LT1G
Beschreibung: MOSFET N-CH 30V 1.6A SOT-23
RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: onsemi
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Verpackung / Koffer: SOT-23-3
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 30 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: 2,1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 100 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: 1 V
Qg – Gate-Ladung: 6 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 150 °C
Pd - Verlustleistung: 690 mW
Kanalmodus: Erweiterung
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: Mausrolle
Marke: onsemi
Konfiguration: Einzel
Herbstzeit: 8 ns
Höhe: 0,94 mm
Länge: 2.9 mm
Produkt: MOSFET-Kleinsignal
Produkttyp: MOSFET
Anstiegszeit: 1 ns
Serie: MGSF1N03L
Fabrikpackungsmenge: 3000
Unterkategorie: MOSFETs
Transistortyp: 1 N-Kanal
Typ: MOSFET
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 16 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 2,5 ns
Breite: 1,3 mm
Stückgewicht: 0,000282 Unzen

♠ MOSFET – Einzeln, N-Kanal, SOT-23 30 V, 2,1 A

Diese Miniatur-MOSFETs zur Oberflächenmontage mit niedrigem RDS(on) gewährleisten minimale Leistungsverluste und sparen Energie. Dadurch eignen sich diese Bausteine ​​ideal für den Einsatz in platzsparenden Energiemanagementschaltungen. Typische Anwendungen sind DC/DC-Wandler und Energiemanagement in tragbaren und batteriebetriebenen Produkten wie Computern, Druckern, PCMCIA-Karten, Mobil- und Schnurlostelefonen.


  • Vorherige: BAV99LT1G Dioden – Allzweck, Leistung, Schalten 70 V 215 mA Dual
  • Nächste: STM32F103RBT6 ARM-Mikrocontroller – MCU 32BIT Cortex M3 128K FLASH 20KB RAM

  • • Niedriger RDS(on) bietet höhere Effizienz und verlängert die Batterielebensdauer
    • Miniatur-SOT−23-Oberflächenmontagepaket spart Platz auf der Platine
    • MV-Präfix für Automobil- und andere Anwendungen, die einzigartige Standort- und Steuerungsänderungsanforderungen erfordern; AEC-Q101-qualifiziert und PPAP-fähig
    • Diese Geräte sind bleifrei und RoHS-konform

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