LM74800QDRRRQ1 3 V bis 65 V, idealer Diodencontroller für die Automobilindustrie, der Back-to-Back-NFETs antreibt 12-WSON -40 bis 125

Der ideale Diodencontroller LM7480x-Q1 steuert externe Back-to-Back-N-Kanal-MOSFETs und emuliert so einen idealen Diodengleichrichter mit Ein-/Aus-Steuerung im Leistungspfad und Überspannungsschutz. Die breite Eingangsspannung von 3 V bis 65 V ermöglicht den Schutz und die Steuerung von 12-V- und 24-V-Fahrzeugbatterie-betriebenen Steuergeräten. Der Baustein hält negativen Versorgungsspannungen bis zu –65 V stand und schützt die Verbraucher vor diesen. Ein integrierter idealer Diodencontroller (DGATE) steuert den ersten MOSFET an und ersetzt so eine Schottky-Diode zum Schutz vor verpolter Eingangsspannung und zur Ausgangsspannungshaltung. Mit einem zweiten MOSFET im Leistungspfad ermöglicht der Baustein die Lasttrennung (Ein-/Aus-Steuerung) und Überspannungsschutz mittels HGATE-Steuerung. Der Baustein verfügt über einen einstellbaren Überspannungsabschaltungsschutz. LM7480-Q1 ist in zwei Varianten erhältlich: LM74800-Q1 und LM74801-Q1. Der LM74800-Q1 nutzt eine Rückstromsperre mit linearer Regelung und Komparatorschaltung im Vergleich zum LM74801-Q1, der eine Komparatorschaltung unterstützt. Mit der Common-Drain-Konfiguration der Leistungs-MOSFETs kann der Mittelpunkt für OR-Designs mit einer weiteren idealen Diode genutzt werden. Der LM7480x-Q1 hat eine maximale Nennspannung von 65 V. Die Lasten können vor längeren Überspannungsspitzen wie 200-V-ununterdrückten Lastabwürfen in 24-V-Batteriesystemen geschützt werden, indem das Gerät mit externen MOSFETs in Common-Source-Topologie konfiguriert wird.