LM74800QDRRRQ1 3-V bis 65-V, idealer Diodencontroller für die Automobilindustrie, der Back-to-Back-NFETs 12-WSON -40 bis 125 ansteuert

Der ideale Diodencontroller LM7480x-Q1 treibt und steuert externe Back-to-Back-n-Kanal-MOSFETs, um einen idealen Diodengleichrichter mit Leistungspfad-EIN/AUS-Steuerung und Überspannungsschutz zu emulieren.Die weite Eingangsversorgung von 3 V bis 65 V ermöglicht den Schutz und die Steuerung von batteriebetriebenen 12-V- und 24-V-Automotive-ECUs.Das Bauteil kann den Lasten von negativen Versorgungsspannungen bis hinunter zu –65 V standhalten und diese schützen. Ein integrierter idealer Diodencontroller (DGATE) steuert den ersten MOSFET an, der eine Schottky-Diode für den Verpolungsschutz des Eingangs und das Hochhalten der Ausgangsspannung ersetzt.Mit einem zweiten MOSFET im Leistungspfad ermöglicht das Gerät Lasttrennung (EIN/AUS-Steuerung) und Überspannungsschutz mit HGATE-Steuerung.Das Gerät verfügt über einen einstellbaren Überspannungsabschaltschutz.LM7480-Q1 hat zwei Varianten, LM74800-Q1 und LM74801-Q1.Der LM74800-Q1 verwendet eine Rückstromblockierung unter Verwendung einer linearen Regelung und eines Komparatorschemas im Vergleich zum LM74801-Q1, der ein komparatorbasiertes Schema unterstützt.Mit der Common-Drain-Konfiguration der Leistungs-MOSFETs kann der Mittelpunkt für OR-Verknüpfungsdesigns mit einer anderen idealen Diode verwendet werden.Der LM7480x-Q1 hat eine maximale Nennspannung von 65 V. Die Lasten können vor ausgedehnten Überspannungstransienten wie 200-V-Unsuppressed-Load-Dumps in 24-V-Batteriesystemen geschützt werden, indem das Gerät mit externen MOSFETs in Common-Source-Topologie konfiguriert wird