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IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhm 44nC

IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhm 44nC Ausgewähltes Bild
  • IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhm 44nC
  • IRFR6215TRPBF MOSFET 1 P-CH -150V HEXFET 580mOhm 44nC

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Infineon Technologies
Produktkategorie: Transistoren – FETs, MOSFETs – Einzeln
Datenblatt:IRFR6215TRPBF
Beschreibung: MOSFET P-CH 150V 13A DPAK
RoHS-Status: RoHS-konform


Senden Sie uns eine E-Mail

Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaften Attributwert
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Verpackung / Koffer: TO-252-3
Transistorpolarität: P-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds – Drain-Source-Durchbruchspannung: 150 V
Id - Kontinuierlicher Drainstrom: 13 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 580 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 V, + 20 V
Vgs th – Gate-Source-Schwellenspannung: 4 V
Qg – Gate-Ladung: 66 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 °C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 °C
Pd - Verlustleistung: 110 W
Kanalmodus: Erweiterung
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband abschneiden
Verpackung: Mausrolle
Marke: Infineon Technologies
Konfiguration: Einzel
Herbstzeit: 37 ns
Vorwärtssteilheit - Min: 3,6 Sekunden
Höhe: 2,3 mm
Länge: 6,5 mm
Produkttyp: MOSFET
Anstiegszeit: 36 ns
Fabrikpackungsmenge: 2000
Unterkategorie: MOSFETs
Transistortyp: 1 P-Kanal
Typ: Vorläufig
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 53 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 14 ns
Breite: 6,22 mm
Teile-Aliase: IRFR6215TRPBF SP001571562
Stückgewicht: 0,011640 Unzen

 

♠ IRFR6215PbF IRFU6215PbF HEXFET® Leistungs-MOSFET

HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier nutzen fortschrittlicheVerarbeitungstechniken, um den geringstmöglichen Einschaltwiderstand proSiliziumfläche. Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeitund robustes Gerätedesign, das HEXFET Power MOSFETs sindbekannt ist, bietet dem Designer ein äußerst effizientes Gerätfür den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen.

Das D-PAK ist für die Oberflächenmontage mittels Dampfphase konzipiert,Infrarot- oder Wellenlöttechniken. Die gerade Anschlussversion(IRFU-Serie) ist für Durchsteckmontageanwendungen vorgesehen.Verlustleistungen bis zu 1,5 Watt sind in typischen OberflächenMount-Anwendungen.


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  •  P-Kanal

     175 °C Betriebstemperatur

     Oberflächenmontage (IRFR6215)

     Gerades Kabel (IRFU6215)

     Fortschrittliche Prozesstechnologie

     Schnelles Umschalten

     Vollständig lawinensicher

     Bleifrei

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