IPD50N04S4-08 MOSFET N-Kanal 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2

Kurze Beschreibung:

Hersteller: Infineon
Produktkategorie: MOSFET
Datenblatt:IPD50N04S4-08
Beschreibung: MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
RoHS-Status: RoHS-konform


Produktdetail

Merkmale

Produkt Tags

♠ Produktbeschreibung

Produkteigenschaft Attributwert
Hersteller: Infineon
Produktkategorie: MOSFET
Technologie: Si
Montageart: SMD/SMT
Paket / Koffer: TO-252-3
Transistorpolarität: N-Kanal
Anzahl der Kanäle: 1 Kanal
Vds - Drain-Source-Durchbruchspannung: 40 V
ID - Kontinuierlicher Drainstrom: 50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 7,2 mOhm
Vgs - Gate-Source-Spannung: - 20 Volt, + 20 Volt
Vgs th - Gate-Source-Schwellenspannung: 2 V
Qg - Gate-Ladung: 22,4 nC
Minimale Betriebstemperatur: - 55 C
Maximale Betriebstemperatur: + 175 C
Pd - Verlustleistung: 46 W
Kanalmodus: Erweiterung
Qualifikation: AEC-Q101
Handelsname: OptiMOS
Verpackung: Spule
Verpackung: Klebeband schneiden
Verpackung: MausReel
Marke: Infineon-Technologien
Aufbau: Einzel
Abfallzeit: 6 ns
Höhe: 2,3mm
Länge: 6,5mm
Produktart: MOSFET
Anstiegszeit: 7 ns
Serie: OptiMOS-T2
Werkspackungsmenge: 2500
Unterkategorie: MOSFETs
Transistortyp: 1 N-Kanal
Typische Ausschaltverzögerungszeit: 5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5 ns
Breite: 6,22 mm
Teil # Aliase: IPD5N4S48XT SP000711450 IPD50N04S408ATMA1
Gewichtseinheit: 0,011640 oz

  • Vorherige:
  • Nächste:

  • • N-Kanal – Enhancement-Modus
    • AEC-qualifiziert
    • MSL1 bis zu 260 °C Spitzenrückfluss
    • 175°C Betriebstemperatur
    • Grünes Produkt (RoHS-konform)
    • 100 % Lawinen getestet

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